电子束蒸镀机原理与专业技术资料.docVIP

E-Gun原理與技術資料 一 原理: 在早期的IC製程中，只有鋁被採用在金屬薄膜製程中，用加熱的方式用來沉積鋁金屬薄膜的方式也被廣泛的使用。電子束蒸鍍系統的開發就是為了要沉積高純度的鋁與其他金屬。 (一) 　　Thermal Evaporation 鋁的熔點很低，大約是攝氏660度左右與其沸點為攝氏2519鍍都相當的低，所以在低壓下就很容易將鋁氣態化。早期用熱蒸鍍的方式來沉積鋁金屬膜用以形成閘極和連線之金屬層。如圖(一)。 　　　　圖一 (二) 電子束蒸鍍 (E-Gun Evaporation) 相較於熱蒸鍍的方式電子束蒸鍍的方法有其下列的優點。 1.可聚焦的電子束，能局部加溫元素源，因不加熱其他部分而避免污染。 2. 高能量電子束能使高熔點元素(附錄一)達到足夠高溫以產生適量的蒸氣壓。 　圖（二）為蒸鍍機的坩鍋,圖（三）為整個E-GUN的結構示意圖。 　　　　　　　　　　　　　　　　圖(二) 圖(三) 圖（四） 圖（四）為電子束電位與坩鍋示意圖，一組可變直流電源供應給燈絲，當燈絲啟動後，在真空下的游離熱電子便因為電場的吸引而加速的射出來，如圖（四）中加速的電場為10KVDC，我們只要改變加速電場的大小就可以改變電子束射擊到坩鍋的位置,假設與電子束平行的位置為X軸方向，如果與交插電子束的位置加裝一組磁場,我們