CMOS集成电路设计精粹1.ppt

源端和漏端都存在着相对于体端（或衬底）的结电容。如小信号model中。当反偏时，结电容通常与电压的平方根有关，最重要的C是漏-体电容CDB，在MOST放大器的输出端。源体电容CSB通常被短路了。 在非常高的f下，若fT/3,输入阻抗无法简单地用RG和输入CGS和CGD来建模。需用一个小电容和RG并联来修正。这个电容值一般从以测得的输入阻抗中获得，通过S参数的测试结果计算得到。通常是栅电阻的1/3和输入电容的1/5并联。只有高f的VCO和LAN可能采用这种模型。 Model 的标准化非常重要，最常用的才是最重要的而不在于有多高的精度。 If 采用一个新的model，最好的方法是用它检查old model中的缺陷。需要检查强反型区两边的转变点，则需检查电流和它的一阶导数的连续性，if考虑失真情况，它的二阶和三阶也必须保证是连续的。这些点是：—线性区和饱和区的转换点（对于增大的VDS）—VDS等于0附近的转换点。If采用了noise model必须对其校正。对于高f设计，将输入阻抗（来自S11）和增益（来自S21）对f进行验证。 目前双极型管广泛应用于BiCMOS工艺中，集合了MOST和双极型管，先研究双极型晶体管，然后再进行性能比较。 左边是垂直的npn管，右边是横向pnp管。从版图中看出，集电极一般都包围中间的发射极。这种结构∵电流增益太小∴一般不采用。垂直pnp管好得多。