紫外深紫外LED封装技术与发展.pdfVIP

下载本文档

218
0
约8.79千字
约 28页
2019-08-09 发布于江苏
举报
版权申诉

紫外深紫外LED封装技术与发展.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第22届广州国际照明展 2017 阿拉丁论坛紫外/ 深紫外LED封装技术与发展陈明祥华中科技大学机械学院武汉光电国家实验室 2017.6.10 机械科学与工程学院机械科学与工程学院目录 1. 前言 2. 紫外LED 封装技术 3. 深紫外LED 封装技术 4. 紫外/深紫外LED 应用 5. 结束语 6. 团队介绍机械科学与工程学院机械科学与工程学院 1. 前言（1）  紫外光（UV ）波长分布 UV A: 315-400 nm UV B: 280-315 nm 紫外（NUV ）: 300 nm 以上 UV C: 200-280 nm 深紫外（DUV ）: 300 nm以下 UV V: 100-200 nm 机械科学与工程学院机械科学与工程学院 1. 前言（2）  UV-LED 外延层外延材料：三族氮化物 In Ga N (λ=0.7-3.4 eV) x 1-x In Al N (λ=0.7-6.2 eV) x 1-x Al Ga N (λ=3.4-6.2 eV) x 1-x UV-LED (≥365 nm): GaN/InGaN 量子阱 UV-LED (365 nm): AlGaN 多量子阱机械科学与工程学院机械科学与工程学院 1. 前言（3）  UV-LED 性能参数技术参数 InGaN / UV-LED AlGaN / DUV-LED 内量子效率 (IQE) 80% 80% 光提取效率 (LEE) 80% 25% 外量子效率(EQE) 60% 20% 光电转换效率(WPE) 50% 5% 单芯片最大光功率 1 W 100 mW 有效寿命 50,000 h 10,000 h 价格较高很高光效低高Al 组分外延技术可靠性差高Al 组分掺杂技术封装材料封装结构成本高 UV-LED 封装技术封装工艺机械科学与工程学院机械科学与工程学院 2. 紫外LED封装技术（1）  封装材料基板材料：金属基板：铝237 W/m.K