5.3-晶体三极管学习资料.pptVIP

5.3 晶体三极管;一、三极管的分类：;二. 晶体管结构;PNP型; 为了能保证三极管具有放大特性，在制作时候应使其结构具有以下特点：;三、晶体三极管的电流放大原理;（1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。;（3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。;电流分配关系：;对于一只三极管，它的基区厚度和杂质浓度已定，因此IC与IB之间保持一定的比例关系，两者之比称为电流放大系数。 集电区直流电流IC与基区直流电流IB的比值称为直流放大系数：;四、 三极管的特性曲线;;1. 三极管的等效模型;③当满足发射结正偏，而集电结反偏时;①首先判断三极管的发射结的偏置状态 如果反偏，且集电极也反偏，就按照截止时??等效电路去求解待求量。;④根据输出回路的KVL计算三极管的输出电压UCE，并根据计算结果判断三极管真实的工作状态，即;【例5.9】试根据下图所示管子的对地电位，判断管子处于哪一种工作状态，是硅管还是锗管？;【例5.10】在如图所示的电路中，已知VCC=12V，硅三极管的 ，饱和时UCE≈0，电阻Rb=47kΩ， Rc=3kΩ,当①UI= - 2V②UI= +2V③UI= +6V时，