近空间升华法制备锡硫化物薄膜与其在太阳电池中的应用.pdfVIP

近空间升华法制备锡硫化物薄膜及其在太阳电池中的应用 摘 要 本论文采用近空间升华法分别制备了SnS和SnS2薄膜，并组装了以 CdS／CdSe量子点共敏化Ti02作为光阳极、所制备的SnS2薄膜用作对电极、 S22。／OH’／S卜体系作为电解质溶液的量子点敏化太阳电池。使用X．射线能谱 外分光光度计(UV一Ⅵs-NIR)研究了不同源温度、不同源与衬底的距离对所 制备的SnS薄膜的化学组成、表面形貌、晶体结构和直接带隙的影响。同 组成、晶体结构，利用电化学工作站测量了电化学阻抗谱，并采用电池测 试标准光源(光强为100mW-cm～，AM1．5)和数据源表测试了量子点敏 化太阳电池的光电转化效率。 结果表明，近空间升华法制备的SnS薄膜符合化学计量比，且沿着(111) 晶面方向择优生长，而源温度为720℃制备的SnS薄膜结晶度要优于源温 度为650℃制备的SnS薄膜，并且源温度为720℃制备的SnS薄膜的颗粒 明显大于650℃制备的SnS薄膜的颗粒；源温度分别为650℃和720℃ eV和1．15eV。同时，源与衬 所制备的SnS薄膜直接带隙最对应为1．21 底距离为10衄条件下制备的SnS薄膜较源与衬底为1