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图1.20 三极管各极间载流子的运动和电流分配关系 (a)载流子运动 (b)电流分配 集电极电流IC由两部分组成：发射区发射的电子被集电极收集后形成的ICn，以及集电区和基区的少数载流子进行漂移运动而产生的反向饱和电流ICBO，即 发射极电流IE也包括大部分的ICn和少部分的IBn，即 通常，将ICn与IE之比定义为共基直流电流放大系数，用符号 表示，即 三极管的 值一般可达0.95～0.99。将上式代入式(1.1)，可得: 当ICBOIC时，可忽略ICBO，则由上式可得: 称为共射直流电流放大系数。将上式代入式(1.7)，可得： 上式中的后一项常用符号ICEO表示，即 ICEO称为穿透电流，则IC又可表示为: 当ICEOIC时，忽略ICEO，则由上式可得： 通常将集电极电流与基极电流的变化量之比定义为三极管的共射电流放大系数，用β表示，即 相应地，将集电极电流与发射极电流的变化量之比定义为共基电流放大系数，用α表示，即 根据α和β的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得: 故α与β两个参数之间满足： 1.4.2 三极管伏安特性曲线 三极管的伏安特性曲线是用来表示该三极管各极电压和电流之间相互关系的，它反映出三极管的性能，是分析放大电路的重要依据。 (1)输入特性曲线 输入特性曲线有下列两个主要特点。 ①VCE＝0时，输入特性曲线相当于两个二极管并联的正向特性曲线。 图1.21 三极管特性曲线的实验电路 图1.22 共射极接法的输入特性 ②随着VCE的增高，曲线向右移动，当VCE＞1V时，特性曲线基本上重合。VCE在小于1V范围内变化时，曲线右移较为明显，这是因为在VCE等于VBE(硅管VBE≈0.7V，锗管VBE≈0.2V)以前，集电结、发射结处于正向偏置状态，集电极收集电子的能力很弱，随着VCE的增高，集电结慢慢过渡到反向偏置，收集电子的能力逐渐加强，从而使基区复合电流的比例相对减少，对于同样的VBE值，因为有更多的电子流入集电极，IB值比VCE=0时明显减小；或者说，为了维持同样大的IB数值，必须加大VBE的值，在曲线上表现为向右移动。 (2)输出特性曲线 函数表达式为： 三极管的输出特性曲线可分为三个区。 1)放大区 三极管的输出特性曲线可分为三个区。 1)放大区 在这个区域内三极管的输出电压和输出电流之间有两个特点： 图1.23 共射极接法的输出特性 ①放大区的输出特性曲线基本上平行，当IB等量变化时，曲线平行等距，满足电流分配关系IC＝βIB。 ②随着VCE的增高，IC略有增大，曲线稍微向上倾斜。 2)饱和区 当VCE降低到一定程度后，集电区电场削弱，收集电子的能力降低，这时，即使再增加IB，IC增加也很少或不再增加，这种情况称为饱和(对应于虚线左边区域)。 3)截止区 一般将IB=0的输出特性曲线以下的区域称为截止区。此时，IC=ICEO，称为穿透电流。 (3)温度对三极管特性的影响 温度对三极管特性的影响与二极管一样，通常要考虑以下三个方面： ①温度对VBE的影响。输入特性曲线随温度升高向左移，VBE随温度变化。其规律与二极管正向导通电压的一样，即温度每升高1℃，VBE减小2～2.5mV。 图1.24 第1章 半导体二极管和三极管 半导体二极管和半导体三极管是最常用的半导体器件。本章首先介绍半导体基础知识和半导体的导电机理，然后讨论PN结的原理、特性，最后介绍半导体二极管、半导体三极管的工作原理、特性曲线和主要参数。对于半导体基础知识方面，应着重理解其基本概念。 1.1 半导体基础知识 在日常生活和生产实践中，有些物质（如银、铜、铝、铁等）很容易导电，这些物质叫做导体。另一些物质(如塑料、有机玻璃、橡胶等)很不容易导电，这类物质叫做绝缘体。而半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，常见的半导体有锗、硅、硒等元素及其合成物，各种金属的氧化物及硫化物等都是半导体。 1.1.1 本征半导体 本征半导体就是非常纯净的、不含杂质的、晶体结构完整的半导体。 图1.1 硅和锗的简化原子结构模型 图1.2 硅或锗的共价键结构示意图 1.1.2 杂质半导体的导电特性 (1)N型半导体 N型半导体是在本征半导体硅(或锗)晶体内掺入微量的5价元素磷(或砷)构成的。 图1.3 本征激发产生自由电子 和空穴及空穴的移动 图1.4 N型半导体结构 图1.5 P型半导体结构 (2)P型半导体 如果在硅(或锗)晶体中掺入微量的3价元素如硼(或铝)后，由于硼的价电子只有3个，当它和周围的硅原子结合形成共价键时，因缺少一个电子而出现了一个空位，在受到热激发而获得能量时，硼原子很容易从相邻硅原子的共价键中夺