模拟电子技术基础1.pptxVIP

学习单元一;1.1 PN结; 在本征半导体中存在着两种载流子参与导电：带负电的自由电子和带正电的空穴，它们是成对产生的，故它们的浓度是相等的。;2. 杂质半导体;（2）P型（空穴型）半导体; 在杂质半导体中，多子浓度主要取决于杂质的浓度；少子的浓度主要与本征激发有关，温度或者光照对它影响很大。;3. PN结的形成;（3）少子的漂移运动; 若PN结外加反向电压UR（指P区接低电位，N区接高电位）称为反向偏置，简称反偏。;1.2 半导体二极管;二极管的种类很多，按制造材料分，常???的有锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管； 按用途分，有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管和普通二极管； 按结构、工艺分，常见的有点接触型、面接触型等。; 锗管由于反向饱和电流大，对温度敏感，使用场合较少； 硅管具有低成本、较小的反向饱和电流、较好的温度特性和击穿电压水平，广泛应用于电子设备中； 砷化镓具有高击穿电压、良好的温度特性和低反向饱和电路，已广泛应用于光电领域、高速特性场合和超大规模集成电路中。; PN结产生电击穿的原因是在强电场作用下，大大增加了自由电子和空穴的数目，引起反向电流急剧增大。这种现象是由雪崩击穿和齐纳击穿两种原因产生的。;（3）温度对二极管特性的影响;3.．半导体二极管的电路模型;（4）二极管的小信号模型;1.3