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第3章 场效应管及其基本放大电路 场效应管是一种较新型的半导体器件，其外形与普通双极型晶体三极管相似，但两者的控制特性却截然不同。场效应管只依靠半导体中的多数载流子实现导电，故又称为单极型三极管。 3.1 结型场效应管 3.1.1 基本结构和类型 结型场效应管(英文缩写为JFET)有N沟道和P沟道两类。 图3.1 N沟道结型场 效应管的结构和符号 (a)结构示意图 (b)符号 图3.2 P沟道结型场效应管 的结构和符号 (a)结构示意图 (b)符号 图3.3 VDS=0时，VGS对耗尽层和导电沟道的影响 (a)VGS=0 (b)VGS0 (c)VGS=VP 3.1.2 工作原理 图3.4 VDS0时，VGS对耗尽层和ID的影响 3.1.3 特性曲线 (1)转移特性 当场效应管的漏源之间的电压VDS保持不变时，漏极电流ID与栅源之间电压VGS的关系称为转移特性，其表达式如下： 结型场效应管的转移特性曲线可近似用以下公式表示： 图3.5 N沟道结型场效应管的特性曲线 (a)转移特性曲线 (b)漏极特性曲线 (2)漏极特性 场效应管的漏极特性表示当栅源之间的电压不变时，漏极电流ID与漏源电压VDS之间的关系，即 中场效应管的漏极特性可以划分为三个区，即可变电阻区、恒流区和击穿区，分别讨论如下： 1)可变电阻区(也称非饱和区) 2)恒流区(也称饱和区或放大区) 3)击穿区 3.2 绝缘栅型场效应管 绝缘栅型场效应管(英文缩写为IGFET)根据导电沟道的不同，可分为N型沟道和P型沟道两类。无论N型沟道还是P型沟道，又都可以分为耗尽型和增强型两种。 3.2.1 N型沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 (1)基本结构 (2)工作原理 (3)特性曲线 图3.6 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构和符号 (a)结构图 (b)耗尽型场效应管符号 图3.7 N沟道耗尽型MOS场效应管的特性曲线 (a)转移特性 (b)漏极特性 在VP≤VGS≤0所示的转移特性可用以下近似公式表示： 3.2.2 N型沟道增强型绝缘栅型场效应管 (1)结构 (2)工作原理 (3)特性曲线 转移特性可用以下近似公式表示： 图3.8 N沟道增强型绝缘栅场效应管结构和符号 (a)结构图 (b)增强型场效应管符号 图3.9 VGSVT时形成导电沟道 图3.10 N沟道增强型MOS场效应管的特性曲线 (a)转移特性 (b)漏极特性 表3.1 各种场效应管的符号和特性曲线 3.3 场效应管的主要参数及特点 3.3.1 直流参数 (1)饱和漏极电流IDSS (2)夹断电压VP (3)开启电压VT (4)直流输入电阻及RGS 3.3.2 交流参数 (1)低频跨导gm 它的定义是当VDS一定时，ID与VGS的变化量之比，即 若ID的单位是毫安(mA)，VGS的单位是伏(V)，则gm的单位是毫西门子(mS)。 (2)极间电容 3.3.3 极限参数 (1)漏极最大允许耗散功率PDM (2)漏源击穿电压V(BR)DS (3)栅源击穿电压V(BR)GS 3.3.4 场效应管的特点 场效应管与双极型三极管相比较，有如下的差别和特点： ①在场效应管中，沟道是惟一的导电通道，导电过程中只有一种极性的多数载流子的漂移运动，故称为单极型三极管。而在双极型三极管里，导电是通过多子与少子两种载流子的扩散与漂移来进行的。 ②场效应管是通过栅源电压VGS来控制漏极电流ID，称为电压控制器件。三极管是利用基极电流iB(或射极电流iE)来控制集电极电流iC，故称为电流控制器件。 ③场效应管的输入电阻很大，而三极管的输入电阻较小。由于MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω，使得栅极感应电荷 不易泄放，而且绝缘层做得很薄，容易在栅源极间感应产生很高的电压，超过V(BR)GS而造成管子击穿。因此，MOS管在使用时应避免使栅极悬空。保存不用时，必须将MOS管各极间短接。焊接时，电烙铁外壳要可靠接地。 ④场效应管的跨导gm的值较小，而双极型三极管的β值很大。在同样条件下，场效应管的放大能力不如三极管高。 ⑤结型场效应管的漏极和源极可以互换使用。MOS场效应管在制造时，如衬底没有和源极接在一起时，也可将d，s极互换使用。而三极管的c和e极互换使用，称倒置工作状态，此时电流放大系数βR将变得非常小。 ⑥场效应管是依靠多子导电，因此，具有较好的温度稳定性、抗辐射性和较低的噪声。三极管的温度稳定性差，抗辐射及噪声能力也较低。 ⑦工作在可变电阻区的场效应管，由于VDS较小，ID随VDS线性上升，特性近似为直线，直线的斜率受VGS的控制，而输出特性曲线斜率的倒数即为场效应管漏源极间的等效电阻，因此