专用集成电路设计2010(2).pptVIP

第二章 集成电路工艺基础及版图设计 2.1 引言 2.2 集成电路制造工艺简介 2.3 版图设计技术 2.4 电参数设计规则 2.4.2 MOS电容 集成电路中，将导电层以绝缘介质隔离就形成了电容。 MOS集成电路中的寄生电容主要包括MOS管的寄生电容以及由金属、多晶硅和扩散区连线形成的连线电容。 寄生电容及与其相连的等效电阻的共同作用决定了MOS电路系统的动态响应。 (1) 栅极电容：与该逻辑门输出端相连各管的 输入电容。 (2) 扩散区电容：与该逻辑门输出端相连的 漏区电容。 (3) 布线电容：该逻辑门输出端连到其它各门 的连线形成的电容。 1. MOS电容特性 MOS电容的特性与栅极上所加的电压紧密相关， 这是因为半导体的表面状态随栅极电压的变化可处于积累层、 耗尽层、 反型层三种状态。 积累层电容 由于积累层本身是和衬底相连的， 所以栅电容可近似为： 2) 耗尽层 当0UGUＴ 时， 在正的栅电压ＵG的作用下， 衬底中的空穴受到排斥而离开表面， 形成一个多数载流子空穴耗尽的负电荷区域， 即耗尽层 3) 反型层 2. MOS器件的电容 前面讨论的是栅极对衬底的电容。MOS器件中完整的寄生电容如下图： MOS管的栅极电容： MOS管的栅极电容在三个工作区的特性是不一样的： (1) 截止区（UGSUT）。 由于沟道还未形成， 故CGS=CGD=0， 栅极电容仍然可以表示为C0和Cdep的串联模型。 (2) 线性区（UGS-UTUDS）。 在线性区耗尽层深度基本不变， 所以CGB为常数。 但此时导电沟道已经形成， CGS 和CGD就必须加以考虑， 这两个电容与栅极电压的大小有关，其值可用下式估算： 3. 扩散区电容 MOS管的源区和漏区都是由浅的N+扩散区或P+扩散区构成的，扩散区也用作互连线。 这些扩散区对衬底（或阱）就有寄生电容存在，寄生电容的大小与将扩散区和衬底（或阱）隔开的耗尽层的有效面积成正比，与扩散区和衬底（或阱）之间的电压有关。 由于扩散区总是有一定深度的， 扩散区对衬底（或阱）的结面积就包括底部面积和周围的侧壁面积两部分（如图）。 4. 布线电容 金属、 多晶硅、 扩散区常被用作互连线， 它们相互之间以及它们与衬底之间都会形成电容。 采用简单的平行板电容器模型可粗略估计这些电容值的大小为： 第三章 MOS集成电路器件基础 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构 及符号 3.2 MOS管的电流电压特性 预期MOS管有什么特性： 3.1 MOS场效应管(MOSFET)的结构及符号 3.1.1 NMOS管的简化结构如图3 - 1所示 该器件制作在P型衬底上，两个重掺杂N区形成源区和漏区， 重掺杂多晶硅区作为栅极， 一层薄SiO2绝缘层作为栅极与衬底的隔离。 在栅氧下的衬底表面是导电沟道。 由于源漏结的横向扩散， 栅源和栅漏有一重叠长度为LD， 所以导电沟道有效长度(Leff)将小于版图中所画的导电沟道总长度，用L表示。 W表示沟道宽度。 3.1.2 N阱及PMOS 为了使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动而不产生垂直于衬底的额外电流，源、漏以及沟道和衬底间必须形成反偏的PN结隔离。 因此，NMOS管的衬底B必须接到系统的最低电位点(例如“地”)， 而PMOS管的衬底B必须要接到系统的最高电位点(例如正电源UDD)。 衬底的连接如图3 - 2所示。 3.1.3 MOS管常用符号 3.2 MOS管的电流电压特性 随着UG增大，经历： a）初始； b）耗尽； c）反型。 形成沟道所对应的电压UG称为阈值电压。 图3-5给出增强型NMOS管和PMOS管工作在恒流区的转移特性， 其中UTHN(UTHP)为开启电压， 即阈值电压。 PMOS的导通现象类似于NMOS，但其所有的极性都是相反的。栅源电压足够“负”，在氧化层和N 衬底表面就会形成一个由空穴组成的反型层。 NMOS阈值电压UTHN的定义为界面反型层的电子浓度等于P型衬底的多子浓度时的栅极电压。 UTHN与材料、 掺杂浓度、 栅氧化层电容等诸多因素有关。 还可以通过向沟道区注入杂质， 从而改变氧化层表面附近的衬底掺杂浓度来控制阈值电压的大小。 增强型MOS和耗尽型MOS 3.2.2 MOS管的输出特性 增强型NMOS输出特性如下图 3-6