IRFR5305-IRFR1205中文资料描述.docVIP

  • 84
  • 0
  • 约小于1千字
  • 约 1页
  • 2020-02-22 发布于河北
  • 举报
IRFR5305-IRFR1205中文资料描述

IRFR5305PBF中文资料描述:MOSFET P-CH 55V 31A DPAK FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 65 毫欧 @ 16A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 55V Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1200pF @ 25V 功率 - 最大 110W 安装类型 表面贴装 IRFR1205中文资料描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 27 毫欧 @ 26A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 55V Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 65nC @ 10V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 44A 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1300pF @ 25V 功率 - 最大 107W 安装类型 表面贴装 BC817-16中文资料描述:TRANSISTOR NPN 45V 310MW SOT23

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档