硅功率器件与电路的现状及发展.docxVIP

硅功率器件与电路的现状与发展 杨建成 (微电子与固体电子学重点实验室，2009年10月) 摘 要：：本文介绍了功率器件的开关特性及电路反馈方法可更好的优化功率变换器的电路 设计及器件选择。数学上从无旋静电场方程，输运方程及半导体器件物理出发，推导解释 了三类离散型，垂直电流流动结构功率开关器件的击穿电压与导通电阻的相关问题；并对面 向分岔，次谐波和混沌控制的功率电路的反馈控制方法进行了简单介绍。 关键词：超结功率器件(SJFET) : IGBT,功率M0SFET；导通电阻(Ron)；击穿电压(BV) Silicon Power Electronic Devices and Circuits: Status and Trends Jiancheng Yang (Guizhou Univorsity, Key Lab of Micronano?electronic and Software Technology, Guiyang 550025, China) Abstract：The switching characteristics, on resistance and blocking voltage, and their control methods are so profoundly interwoven that only a good grasp of underlyin