半导体集成电路可靠性方案.docVIP

6.2半导体集成电路的可靠性设计 军用半导体集成电路的可靠性设计是在产品研制的全过程中，以预防为主、加强系统管理的思想为指导，从线路设计、版图设计、工艺设计、封装结构设计、评价实验设计 、原材料选用、软件设计等方面，采取各种有效措施，力争消除或控制半导体集成电路在规定的条件下和规定时间内可能出现的各种失效模式，从而在性能、费用、时间研制、生产周期）因素综合平衡的基础上，实现半导体集成电路产品规定的可靠性指标。 根据内建可靠性的指导思想，为保证产品的可靠性，应以预防为主，针对产品在研制、生产制造、成品出厂、运输、贮存与使用全过程中可能出现的各种失效模式及其失效机理，采取有效措施加以消除控制。因此，半导体集成电路的可靠性设计必须把要控制的失效模式转化成明确的、定量化的指标。在综合平衡可靠性、性能、费用和时间等因素的基础上，通过采取相应有效的可靠性设计技术使产品在全寿命周期内达到规定的可靠性要求。 6.2.1 概 述 1. 可靠性设计应遵循的基本原则 1）必须将产品的可靠性要求转化成明确的、定量化的可靠性指标。 2）必须将可靠性设计贯穿于产品设计的各个方面和全过程。 3）从国情出发尽可能地采用当今国内外成熟的新技术、新结构、新工艺。 4）设计所选用的线路、版图、封装结构，应在满足预定可靠性指标的情况下尽量简化，避免复杂结构带来的可靠性问题。 5）可靠性设计实行过程必须与可靠性管理紧密结合。 2. 可靠性设计的基本依据 1）合同书、研制任务书或技术协议书。 2）产品考核所遵从的技术标准。 3）产品在全寿命周期内将遇到的应力条件环境应力和工作应力）。 4）产品的失效模式分布，其中主要的和关键的失效模式及其机理分析。 5）定量化的可靠性设计指标。 6）生产研制）线的生产条件、工艺能力、质量保证能力。 3. 设计前的准备工作 1）将用户对产品的可靠性要求，在综合平衡可靠性、性能、费用和研制生产）周期等因素的基础上，转化为明确的、定量化的可靠性设计指标。 2）对国内外相似的产品进行调研，了解其生产研制水平、可靠性水平包括产品的主要失效模式、失效机理、已采取的技术措施、已达到的质量等级和失效率等）以及该产品的技术发展方向。 (3 对现有生产研制）线的生产水平、工艺能力、质量保证能力进行调研，可通过通用和特定的评价电路，所遵从的认证标准或统计工艺控制SPC）技术，获得在线的定量化数据。 4. 可靠性设计程序 1）分析、确定可靠性设计指标，并对该指标的必要性和科学性等进行论证。 2）制定可靠性设计方案。设计方案应包括对国内外同类产品相似产品）的可靠性分析、可靠性目标与要求、基础材料选择、关键部件与关键技术分析、应控制的主要失效模式以及应采取的可靠性设计措施、可靠性设计结果的预计和可靠性评价实验设计等。 3）可靠性设计方案论证可与产品总体方案论证同时进行）。 4）设计方案的实行与评估，主要包括线路、版图、工艺、封装结构、评价电路等的可靠性设计以及对设计结果的评估。 5）样品试制及可靠性评价实验。 6）样品制造阶段的可靠性设计评审。 7）通过实验与失效分析来改进设计，并进行“设计－实验－分析－改进”循环，实现产品的可靠性增长，直到达到预期的可靠性指标。 8）最终可靠性设计评审。 9）设计定型。设计定型时，不仅产品性能应满足合同要求，可靠性指标是否满足合同要求也应作为设计定型的必要条件。 6.2.2集成电路的可靠性设计指标 1. 稳定性设计指标 半导体集成电路经过贮存、使用一段时间后，在各种环境因素和工作应力的作用下，某些电性能参数将逐渐发生变化。如果这些参数值经过一定的时间超过了所规定的极限值即判为失效，这类失效通常称为参数漂移失效，如温漂、时漂等。因此，在确定稳定性设计指标时，必须明确规定半导体集成电路在规定的条件下和规定的时间内，其参数的漂移变化率应不超过其规定值。如某CMOS集成电路的两项主要性能参数功耗电流IOD和输出电流IOL、IOH变化量规定值为： 在125℃环境下工作24小时，△IOD小于500mA； 在125℃环境下工作24小时，IOL、IOH变化范围为±20％。 2. 极限性设计指标 半导体集成电路承受各种工作应力、环境应力的极限能力是保证半导体集成电路可靠性的主要条件。半导体集成电路的电性能参数和热性能参数都有极限值的要求，如双极器件的最高击穿电压、最大输出电流、最高工作频率、最高结温等。极限性设计指标的确定应根据用户提出的工作环境要求。除了遵循标准中必须考核的项目之外，对影响产品可靠性性能的关键极限参量也应制定出明确的量值，以便在设计中采取措施加以保证。 3. 可靠性定量指标 表征产品的可靠性有产品寿命、失效率或质量等级。若半导体集成电路产品的失效规律符合指数分布时，寿命与失效率互为倒数关系。 通常半导体集成电路的可靠性指标也可根