互感器测量一次绕组对地的tgδ值作业指导书.doc

互感器测量一次绕组对地的tgδ值作业指导书 该项目适用范围 20kV及以上电磁式电压互感器交接、大修后和预防性试验 试验时使用的仪器 介损测试仪或QS19型电桥等。 测量步骤 试验方法以QS19型电桥为例，自动抗干扰一体化电桥根据使用说明书可参照QS19型电桥进行。 9.4.1反接线法 35kV及以上的电压互感器一次绕组连同套管一起对外壳的tgδ值，可用西林电桥的反接线法进行测定。对于全绝缘的一次绕组，其试验方法和注意事项与变压器绕组的试验相同（参见第五章第四节），试验电压为10kV。 对于分级绝缘的电压互感器以及串级式电压互感器，因为绕组接地端的绝缘水平低，试验电压只能加至2～3kV，并需查看制造厂说明书的规定后方可加压。此时，若用西林电桥反接线法，接线时电桥的“Cx”端必须和被试互感器一次绕组的接地端X相接，或者A与X短后和“Cx”相接。如仅将一次绕组出线端A与电桥的“Cx”连接，测量结果会出现误差。近年来对串级式电压互感器，为了提高检测的灵敏度，采用自激法和末端屏蔽法测量tgδ值。 9.4.2 高压标准电容器自激法测量 图7 采用高压标准电容器 自激法测量电台值接线采用高压交流电桥高压标准电容器自激法测量串级式电压互感器的电 值接线，如图7所示。图中A-X为两元件铁芯串接高压测绕组的出线端，a-x为低压侧绕组出线端，ad-xd为低压侧辅助绕组出线端，图中其他符号含义同图4-3、图4-5，所不同的是利用电压互感器本身作为试验变压器，以套管和绕组的对地电容作为Cx。这种线路的电压分布与电压互感器工作时一致，所以避免了高压侧绕组靠近低压端的容量大，而造成主要反映低压端介质损耗的缺点。如能采用更高电压的标准电容器就更接近实际，如国产的250kV六氟化硫标准电容器，就能够满足110kV及220kV的电压互感器在工作电压下用自激法测tgδ的试验。试验方法和第四章中用QS19型电桥对角接线法测量tgδ 图7 采用高压标准电容器 自激法测量电台值接线 9.4.3低压标准电容器自激法 如图8所示，利用QSI型桥体内的标准电容作为电桥的标准臂，对串级式互感器进行自激测量tgδ值。电桥的标准电容供电是取自辅助绕组ad-xd端子上所感应的电压，标准电容桥臂承受的电压较低，此时辅助绕组的负荷很小，ù1和ù2相量基本上是重合的，经试验证明它们之间的角差影响可以忽略不计。 图8 利用低压标准电容器自激法测量tgδ值接线不管用高压标准电容器自激法，还是用低压标准电容器自激法，在测量串级式电压互感器的tg 图8 利用低压标准电容器自激法测量tgδ值接线 试验时注意事项： （1）将电压互感器一次绕组X端接地线拆除。 （2）电压互感器低电压绕组a-x及ad-xd各绕组应有一端良好接地，a-x和ad-xd绕组不能短路。 （3）试验回路中接人220／36～12V隔离变压器，以防止试验结果的分散性及误加电压；隔离变压器二次电压的选择是当一次电压为220V时，电压互感器高压侧电压为10kV。 （4）如使用QS19型电桥测量时，可用电桥的三根连线引出，但需将插头的脚柱“E线”的屏蔽与电桥内屏蔽断开，并将其“E线”的外屏蔽经导线引出接地。 （5）标准电容CN应放在耐压为10kV以上的绝缘台上； 图9 首端屏蔽法测量tgδ值接线（6）标准电容器与电压互感器“A 图9 首端屏蔽法测量tgδ值接线 （7）调节电压互感器高压侧电压为10kV，将电桥分流器置于0.01位置进行测量。 （8）当有电场干扰时，可参见以下所述方法和第四章所述方法消除之。 9.4.4 首端屏蔽法 当现场有强电场干扰时，因高压首端暴露在强电场位置，若将电压互感器高压首端接地（见图9），在有强电场干扰时使用该方法效果很好。但由于低压小套管处于高电位，因此试验电压仅能加到3kV。 试验时，由于高压绕组X端仅能加到3kV，因而二次绕组的励磁电压很低，为使调压方便，应将二次2个绕组串接；隔离变压器T可使用220／36V的安全灯变压器，一次接调压器，如被试互感器为JCC-110型，则二次绕组施加7.45V即可，如为JCC-220型互感器，二次绕组施加电压更低，测量时，用一数字电压表监测二次绕组电压即可。由于首端试验时接地，因此在预防性试验时可以不拆除首端连接线，使现场工作简化。 9.4.5末端屏蔽法 图10 用末端屏蔽法测量tgδ值接线用末端屏蔽法测量tgδ值的接线如图10所示。它同样可利用QS19型高压电桥或其他数字电桥进行测量，并需用高压试验变压器T在被试电压互感器的高压侧激磁，同时供给电桥电源。低压绕组末端接地，低压绕组输出处于较低电位，这样基本上避免了小套管因受潮和脏污对tgδ测量值的影响。可见，末端屏蔽法的接线只能测出和低压绕组及辅助绕组及辅助绕组直接耦合高压绕组部分的tgδ值。如老式JCC-110型和J