施敏-课后习题答案.pptVIP

20. 一p沟道的n+多晶硅-SiO2-Si MOSFET，其ND = 1017 cm-3，Qf /q = 5 × 1010 cm-2且d = 10 nm，试计算其阈值电压。 - 10 注意P沟道，其阈值电压为负 VT = VFB - 2ψB - V0 = -0.173 – 0.84 –0.48 = -1.493 V 查图6.8 n型衬底的n+多晶硅栅 Φms 0也可直接计算 22. 针对习题20中的器件，假如n+多晶硅栅极更换为p+多晶硅栅极，则阈值电压将会如何变化？ VFB = Φms – Qf / C0 因其它条件都未变化，所以VT变化量为平带电压变化量，即功函数差之变化量，查表6.8 ΔVFB = Φms(P)-Φms(N) = 0.85 –(-0.15)= 1 V 即带隙 所以VT = -1.493 + 1 = -0.493 V 24. 一MOSFET的阈值电压VT = 0.5 V，亚阈值摆幅为100 mV/decade，且在VT时漏极电流为0.1?A。请问于VG = 0时的亚域值漏电流为多少？ 可以利用亚阈值区域ID特性 求解 更好的方法是用亚阈值摆幅 S = 100 mV/decade 亚阈值摆幅100 mV/decade表示栅电压每减小/增加0.1V ，则ID对应的下降/上升一个数量级。 栅电压