数字集成电路精简课件.ppt

第一章 引论;摩尔定律;Design Metrics;集成电路成本;芯片成本;单个晶体管成本;成品率;不合格率;可靠性―数字集成电路中的噪声;直流特性电压传输特性;逻辑电平映射至电压范围;反相器串联：噪声容限的定义;抗噪声能力;抗噪声能力;再生性;再生性;扇入和扇出;理想的数字门;延迟定义;环振荡器;一阶 RC 网络;功耗;第二章 制造工艺;CMOS 工艺;设计反相器电路;反相器电路版图;氧化oxidation;形成 SiO2图形;简化的双阱CMOS 工艺;CMOS 工艺流程;CMOS工艺流程;CMOS工艺流程;CMOS工艺流程;设计规则;设计规则;CMOS 工艺图层;0.25 mm CMOS 工艺图层表示方法;同一层内设计规则;晶体管的版图设计规则;通孔 和接触孔;阱接触及选择层的设计规则;CMOS 反相器版图;棒图;第三章 器件;什么是晶体管?;MOS 管;MOS 晶体管的电路符号;MOS 电容;阈值电压: 概念;MOS管上的电压;截止;晶体管电阻工作区;晶体管电阻工作区;nMOS 饱和;漏极电压和电流的关系;nMOS I-V 特性总结;速度饱和效应;速度饱和效应;深亚微米区域的电压电流关系;ID / VDS;PMOS 晶体管;MOS 晶体管的的动态特性;栅电容（沟道电容）;深亚微米晶体管特性;阈值电压变化;亚阈值区导通;MOSFET 工作区域总结;寄生电阻;闩锁;第四章