电子技术基础第3章 场效应管及其放大电路.pptVIP

恒流区的特点： △iD /△vGS=gm≈常数 即：△iD =gm△vGS （放大原理） ① 可变电阻区（预夹断前） ② 恒流区或饱和区（预夹断后），也称线性放大区 ③ 夹断区（截止区） ④ 击穿区 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 分四个区： 转移特性曲线 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线 A A B B C C D D 通过实验可以得到iD的经验公式： VP 只要给出IDSS和VP就可以把转移特性中的其他点近似计算出来。 判断工作区域(类似BJT) 方法: UGSUGS(off)且UGDUGS(off),未夹断,可变电阻区; UGSUGS(off)且UGDUGS(off),夹断,恒流区; UGS≤UGS(off),全夹断,夹断区; 例3.1 P58 3.1.3 场效应管的主要参数 【翻看教材P58】 （1）夹断电压VP （2）饱和漏电流IDSS （3）低频互导（跨导）gm 其余请同学们自己看！ 3.2 金属－氧化物－半导体场效应管 MOSFET P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 分类： 所谓“增强型”：指vGS=0时，没有导电沟道，即iD=0，而必须依靠栅源电压vGS的作用，才形成感生沟道的FET，称为增强型FET。 所谓“耗尽型”：指vGS=0时，也会存在导电沟道，iD≠0的FET，称为