现代物理实验方法-王海龙.ppt

王海龙简介 1971年5月出生于山东省莘县，博士，教授，博士生导师，博士后合作导师，校“1361”人才工程入选人才。 学历: 1992年7月 曲阜师范大学 物理系 理学学士学位 1995年7月 北京师范大学 物理系 理学硕士学位 2000年7月 中国科学院半导体研究所 理学博士学位 工作经历: 1995年7月开始在曲阜师范大学物理系工作，历任助教（1995年）、讲师（1997年）、 副教授 （2000年）、教授 （2006年），其间： ? 2000年9月-2002年8月 日本电信电话株式会社(NTT) 物性科学基础研究所 博士后 2002年9月-2003年7月 香港理工大学 电子及资讯工程系 访问学者 2003年8月-2005年3月 日本国际电气通信基础技术研究所(ATR) 客座研究员 固体薄膜材料制备与检测技术 固体薄膜材料制备与检测技术 引言 四方上下曰宇，古往今来曰宙 宇- 空间尺度的42个台阶, 10-15 (核子的半径)— 1 — 1026m (哈勃半径) 宙-时间尺度的44个数量级， 10-25 ( Z0的寿命)—1— 1018s (宇宙的年龄) 科技发展的两个方向：一个是宏观世界进军，探索宇宙的起源和进化；另一个是微观世界发展，向着分子、原子、原子核、基本粒子的微观层次不断地探索物质起源和结构。 薄膜的应用 半导体器件 电路连接 电极 光探测器件 半导体激光器 光学镀膜 薄膜分类 超薄膜: ~10 nm 薄膜: 50 nm─1 mm 中间范围: 1 mm ─ ~10 mm 厚膜: ~10 mm ─ ~100 mm 单晶薄膜 多晶薄膜 无序薄膜 薄膜中涉及的研究课题 生长机制和技术 薄膜成分 缺陷与位错 表面形态 薄膜中的扩散现象 界面的性质 应力引起的应变 物理性质（电学、光学、机械等） 两种常见的薄膜结构 单层膜 周期结构多层膜 薄膜表面 外延生长层 应力的效果 固体薄膜材料制备与检测技术 （一）PVD(物理气相沉积)简介 所生长的材料以物理方式由固体转化为气体； 生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底； 蒸汽在衬底表明上凝结，形成薄膜。 PVD的一般特性 “物理吸附”: 约束能 0.434 eV/atom (10 cal/mol) 比外延生长速率快很多 衬底与薄膜材料不一定要有联系 厚度范围: 典型薄膜：~nm ─ ~103 nm 也可以生长更厚的膜 PVD的物理原理 PVD所需实验条件 高真空 (HV) 高纯材料 清洁和光滑的衬底表面 提供能量的能源 平均自由程?、压强P和真空室尺寸L的关系 残留气体对薄膜生长的影响 PVD的通用实验配置 1、 热蒸发 热蒸发 常用蒸发源 2、电子束蒸发 用高能聚焦的电子束熔解并蒸发材料 材料置于冷却的坩埚内 只有小块区域被电子束轰击 - 坩埚内部形成一个虚的“坩埚” 不与坩埚材料交叉污染，清洁。 电子束蒸发 常用蒸发材料形态 3、 脉冲激光沉积 用高能聚焦激光束轰击靶材 蒸发只发生在光斑周围的局部区域 蒸发材料被直接从固体转化为等离子体 能轰击出来大尺寸的颗粒 光束渗透深度小 ~ 100 A, 蒸发只发生在靶材表面 脉冲激光沉积 Pulsed Laser Deposition (PLD) System 4、 磁控溅射 反应 (氧化物、氮化物) 或不反应 ( 金属 ) 溅射靶材 溅射过程的物理模型 溅射产值 靶材材料的结构和成分 入射离子束的参数 实验环境的几何分布 择优溅射 靶材中的不同成分的溅射产值不一样 不同成分的出射速度不一样 薄膜的化学配比与靶材会有差别 溅射离子的运动学过程 非平衡过程 各向异性过程 cosmq 分布 不均匀厚度 附加磁场的优点 限制溅射离子的轨道 增加离子在气体中停留的时间 增强等离子体和电离过程 减少从靶材到衬底路程中的碰撞 高磁场附近的产值比较高 磁控溅射中的重要参数 溅射电流 ( 生长速率 ) 压强 ( 溅射粒子的最高能量 ) 压强与靶材-衬底之间的距离 (多孔性、质地、晶体性） 反应气体混合比 ( 化学配比 ) 衬底温度 ( 晶体性、密度和均匀性 ) 衬底偏压 ( 薄膜结构和化学配比 ) 现任清华大学理学院院长、物理系主任 1963年12月19日 生于山东蒙阴 学历： 1980年9月-1984年7月 山东大学光学系激光专业（理学学士学位） 1987年9月-1990年7月 中国科学院物