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16.11.3 场效应管放大电路 * 第二章 放大电路基础(5) 场效应管是电压控制元件,多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 2.11 场效应管及其放大电路 三极管是电流控制元件，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管 绝缘栅场效应管 结型场效应管 2.11.1 绝缘栅场效应管 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出了沟道. N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 二、MOS管的工作原理 以N 沟道增强型为例 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVT）将P区少子电子聚集到P区表面，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 感应出电子 VT称为阈值电压 UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS UT iD=f(uGS)?uDS=常数 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 一个重要参数——跨导gm gm=?iD/?uGS? uDS=const gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 N沟道增强型MOS管的基本特性 uGS ＜ UT，管子截止 uGS ＞UT，管子导通 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 N沟道耗尽型MOS管的特点 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 微变等效电路法。 分析方法： 很大， 可忽略。 G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 一. 场效应管的微变等效电路 二. 场效应管的共源极放大电路 一、静态分析 求：UDS和 ID。 设：VGUGS 则：VG?VS 而：IG=0 所以： UDD=20V uo RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k uo UDD=20V RS ui CS C2 C1 R1 RD RG R2 RL 150k 50k 1M 10k 10k G D S 10k 二、动态分析 s g R2 R1 RG RL d RL RD 微变等效电路 s g R2 R1 RG RL d RL RD ro=RD=10k? 三. 源极输出器 uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G 一、静态分析 VS?VG UDS=UDD- VS =20-5=15V uo +UDD RS ui C1 R1 RG R2 RL 150k 50k 1M 10k D S C2 G ri ro ro? g R2 R1 RG s d RL RS 微变等效电路 二、动态分析