§ 6.1 光电成像概述 §6.2 固体摄像器件分类及性能 § 6.3 红外成像技术 § 6.4 光学成像系统和光学传递函数 c. 然后按一定的次序沉淀N个金属电极或多晶硅电极,作为栅极。(栅极间的间距为2.5个微米,中心距离为15-20个微米) 于是,每个电极与其下方的二氧化硅和半导体之间就构成了一个 金属-氧化物-半导体(Metal - Oxide - Semiconductor )结构, 即MOS结构。 (3) 输出部分:将电荷信号转换为电压或电流信号 输出栅(OG/ Output diaode) 输出二极管 (OD / Output Grid) 1)CCD的输入部分 (1)电注入:当CCD用于信息存储或信息处理时,通过输入端注入与信号成正比的电荷。有两种方式,电流注入法和电压注入法。如图6.4(a) 所示为电流注入法结构,如图6.4(b)所示为电压注入法结构。 (2)光注入:当CCD用于拍摄光学图像时,把按照照度分布的光学图像通过光电转换转化为电荷分布,然后由输入部分注入。 CCD相机采用的就是光注入,如图6.5所示。 式中,η为材料的量子效率;q为电子电荷量;Neo为入射光的光子流速率;A为光敏单元的受光面积;tc为光的注入时间。 三、CCD的基本功能 包括:电荷的产生、存储、转移和输出。 1、电荷的产生:
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