第6章MOSFET及相关器件.pptVIP

MOSFET及相关器件 ? MOS二极管 ? MOSFET基本原理 ? MOSFET按比例缩小 ? CMOS与双极型CMOS ? 绝缘层上MOSFET ? MOS存储器结构 ? 功率MOSFET MOS二极管 MOS二极管在半导体器件物理中占有极其 重要的地位，因为它是研究半导体表面特性最 有用的器件之一．在实际应用中，MOS二极管 是先进集成电路中最重要的MOSFET器件的枢 纽．在集成电路中，MOS二极管亦可作为一储 存电容器，并且是电荷耦合器件(CCD)的基本 组成部分 理想MOS二极管 MOS二极管的透视结构如图(a)所示．图 (b)为其剖面结构，其中d为氧化层的厚度，而 V为施加于金属平板上的电压．当金属平板相 对于欧姆接触为正偏压时，V为正值；而当金 属平板相对于欧姆接触为负偏压时，V为负值 在前一图中，我们假设当金属平行板上的电压发生变化时，所有增加的电荷将出现在耗尽区的边缘，事实上，只有当测量频率相当高对才会发生． 然而，假如当测量频率足够低 时，使得表面耗尽区内的产生-复合 率与电压变化率相当或是更快时， 电子浓度(少数载流子)与反型层中 的电荷可以跟随交流的信号．因此 导致强反型时的电容只有氧化层电 容C0而已．右图为在不同频率下所 测得的MOS的C-V曲线，注意低频 的曲线发生在≤100Hz时． 一、输出特性 当在栅极上施加一偏压，并在半导体表面产生