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Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 小 结 半导体的电阻率约在（10-4～1010）?·m之间，它受温度、光照影响很大，可通过掺杂而改变其导电性能。 纯净的又以晶体结构存在的半导体称本征半导体，存在两种载流子，总体仍然是电中性。掺入少量的杂质元素构成了P型半导体或N型半导体。 PN结外加电压，呈现出单向导电性。PN结外加封装并引出两根引线就成了半导体二极管。 半导体二极管应用广泛，可以整流、检波、电子开关。 Publishing House of Electronics Industry 第6章 半导体器件基础 半导体三极管是由两个PN结构成的电流控制型半导体器件，当其发射结正偏，集电结反偏时，基极电流变化ΔIB能引起集电极电流变化量ΔIC。二者之比 ，叫做三极管的电流放大系数。其特性曲线和参数是分析三极管工作状态和选用三极管的主要依据，分输入特性和输出特性。输出特性曲线存在三个区域：放大区、截止区和饱和区。 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，其优点：体积小、重量轻、寿命长、内阻高，便于大规模集成。与半导体三极管的一一对应关系是：栅极--基极、源极--发射极、漏极--集电极。不同的场效应管对电源极性有不同的要求。 21世纪高职、高