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第六章 半导体结型光电器件 光电子技术教研室 光生伏特效应是指：当两种半导体材料或金属/半导体相接触形成势垒，当外界光照射时，激发光生载流子，注入到势垒附近形成光生电压的现象。 利用光生伏特效应制成的光电探测器叫做势垒型光电探测器。势垒型光电探测器是对光照敏感的“结”构成的，故也称结型光电探测器。 根据所用结的种类的不同，可分为PN结型、PIN结型、异质结型和肖特基势垒型等。最常用的器件有光电池、光电二极管、PIN管、雪崩光电二极管、光电三极管和光电场效应管等。 结型光电探测器与光电导探测器相比较，主要区别在于： 1、产生光电变换的部位不同。 2、光电导型探测器没有极性，工作时必须有外加电压，而结型探测器有确定的正负极，不需要外加电压也可把光信号变为电信号。 3、均质型探测器的载流子驰豫时间比较长，响应速度慢、频率响应特性差。而结型探测器响应速度快、频率响应特性好。 4、雪崩式光电二极管和光电三极管还有很大的内增益作用，不仅灵敏度高，还可以通过较大的电流。 6-1 结型光电器件原理 1、PN结光生伏特效应 离PN结较近的由光产生的少数载流子，N区中的空穴，P区中的电子，受到内建电场的分离，电子移向N区，空穴移向P区，PN结区的光生电子-空穴对被PN结势垒区较强的内建电场分离，空穴被移向P区，电子被移向N区。 结果