第六章MOS存储器.ppt

§6-1 存储器的结构 思考题1. 存储器一般由哪几部分组成？2.设计译码电路时应注意什么问题？3.多级译码电路有什么优点？ ？ 6.1.1 存储器的结构图 6.1.2 存储体 6.1.3 地址译码器 6.1.4 行地址译码器 1.基本原理 6.1.4 行地址译码器 2.多级译码技术 6.1.4 行地址译码器 3.地址同步控制 6.1.4 行地址译码器4.电路优化设计 6.1.5 列地址译码器 1.基本原理 6.1.5 列地址译码器 2.开关树的设计 6.1.6 读写控制及输入输出电路 §6-2 Mask ROM 思考题1. Mask ROM 的特点是什么？2. Mask ROM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？ 6.2.1 Mask ROM的特点 6.2.2 E/D NMOS或非存储阵列 6.2.3 准NMOS或非存储阵列 6.2.4 预充低功耗结构或非存储阵列 6.2.5 预充结构与非存储阵列 6.2.6 母片形式的与非存储阵列 6.2.7 与或非存储阵列 6.2.8 输出电路 6.2.8 Mask ROM应用实例 1. 96字符发生器 6.2.8 Mask ROM应用实例 2.液晶七段数码显示器 §6-3 EPROM 思考题1. EPROM 的特点是什么？2. EROM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？ 6.3.1 EPROM的特点 6.3.2 FAMOS结构存储单元 1.FAMOS 器件结构 6.3.2 FAMOS结构存储单元 2.FAMOS浮栅充电原理 6.3.2 FAMOS结构存储单元 3.FAMOS存储单元阵列 6.3.3 SIMOS结构存储单元 1.SIMOS器件结构 6.3.3 SIMOS结构存储单元 2.SIMOS浮栅充电原理 6.3.3 SIMOS结构存储单元 3. SIMOS存储单元阵列 §6-4 EEPROM 思考题1. EEPROM 的特点是什么？2. EEROM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？ 6.4.1 EEPROM的特点 6.4.2 Flotox结构存储单元 1. Flotox 器件结构 6.4.2 Flotox结构存储单元 2. F-N隧道效应 (Fowler-Nordheim) 6.4.2 Flotox结构存储单元 3. 浮栅充电 6.4.2 Flotox结构存储单元 4. 浮栅放电 6.4.2 Flotox结构存储单元 5. Flotox 结构的 存储单元阵列 6.4.3 MNOS结构存储单元 1. MNOS 器件结构 6.4.3 MNOS结构存储单元 2.直接隧道效应 6.4.3 MNOS结构存储单元 3. MNOS结构的 存储单元阵列 6.4.4 片内高压产生电路（电荷泵） §6-5 SRAM 思考题1. SRAM 的特点是什么？2. SRAM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？3. SRAM读出放大器的作用是什么？4. 多端口SRAM的优点是什么？ 6.5.1 SRAM的特点 6.5.2 SRAM存储单元电路 6.5.3 SRAM存储单元工作原理 6.5.4 SRAM存储单元版图 6.5.5 SRAM的数据输入/输出电路 6.5.6 SRAM的读出放大电路 6.5.7 SRAM整体结构电路示意图 6.5.8 单端口SRAM的特点 6.5.9 多端口SRAM单元 1. 1读1写两端口单元 6.5.9 多端口SRAM单元 2. 2读1写三端口单元 6.5.10 多端口SRAM的特点 §6-6 DRAM 思考题1. DRAM 的特点是什么？2. DRAM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？2. DRAM为什么需要读出再生放大器？ 6.6.1 DRAM的特点 6.6.2 DRAM单管存储单元的结构 6.6.3 DRAM单管存储单元的工作原理 1. 信息的写入 6.6.3 DRAM单管存储单元的工作原理 2. 信息的读出 6.6.4 DRAM存储阵列 6.6.5 DRAM读出时的问题 6.6.6 DRAM虚拟单元的设置 6.6.7 DRAM的读出、再生放大器 1. 电路结构 6.6.7 DRAM的读出、再生放大器 2. 工作原理 6.6.7 DRAM的读出、再生放大器