电路及电子技术 (2).PPT

(2)画出微变等效电路计算电压放大倍数、输入电阻和输出电阻 图6.25 求共集电极放大电路的输出电阻用图 6.5.2 共基极放大电路 图6.26 共基极放大电路 (1)静态分析 (2)动态分析 图6.28 共基极放大电路的微变等效电路 图6.27 共基极放大电路的直流通路 (3)小结 6.6 场效应管放大电路 6.6.1 共源极放大电路(以耗尽型NMOS管为例) 图6.29 自偏压共源极放大器 (1)静态分析 1)估算法 图6.30 栅极分压式共源极放大器 2)图解法 图6.31 N沟耗尽型MOS管共源极放大器Q点的图解 (2)动态分析 1)场效应管的微变等效模型 图6.32 N沟耗尽型MOS管的微变等效电路 图6.33 N沟耗尽型MOS管自偏压共源极放大电路的微变等效电路 2)计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻(以图6.29为例) 6.6.2 共漏极放大电路(源极输出器) 图6.34 耗尽型NMOS管共漏极放大器 (2)动态估算 图6.35 N沟耗尽型MOS管共漏极放大电路的微变等效电路 图6.36 计算共漏极放大电路输出电阻的微变等效电路 6.7 多级放大电路 由一个放大元件构成的放大电路，统称为单级放大器。把几个单级放大器串联起来构成多级放大器。 图6.37 阻容耦合两级共射放大电路 6.7.1 多级放大器的连接方式 (1)阻容耦合方式 图6.38 变压器耦合两级共射放大电路 (2)变压耦合方式 5.4.4 耗尽型MOS管 图5.28 耗尽型NMOS管的结构和漏极曲线示意图 第6章 基本放大电路 6.1 基本放大电路的组成 基本放大电路一般由工作于放大区的放大元件(如晶体管BJT，FET等)、电阻、电容和直流电源等构成。 图6.1 单管共射放大电路 6.2 放大电路的性能指标 6.2.1 放大倍数 输出电压与输入电压变化之比，称为电压 放大倍数。表示为： 输出电流与输入电流变化量之比，称为电 流放大倍数。表示为： 6.2.2 最大输出幅度 它指放大器所能输出的最大电压值(或最大电流值)，一般指有效值。记为Uomax，用峰值表示时，记为：UoP-P(max)，两者相差 倍。 6.2.3 输入电阻 6.2.4 输出电阻 图6.2 放大器的输入电阻和输出电阻 6.2.5 非线性失真 谐波总量与基波之比为非线性失真系数γ。 6.2.6 通频带fBW 放大倍数下降到中频电压放大倍数的 倍(0.707)的频率范围，叫做通频带，记为：BW。 图6.3 放大器的通频带 6.3 基本放大电路的图解分析方法 6.3.1 用图解法确定Q点(静态分析) 图6.4 基本共射放大电路及其直流通路 图6.5 用图解法求IB，UBE 图6.6 用图解法求IC，UCE 6.3.2 用图解法求电压放大倍数Au和最大不失真输出电压幅度Uomax(动态分析) 图6.7 基本共射放大电路的交流通路 图6.8 用图解法求ΔiB 图6.9 用图解法求ΔuCE 图6.10 截止失真的图解 图6.11 饱和失真的图解 图6.12 基本共射放大电路的电压、电流对应关系 6.4 放大电路的微变等效电路分析法 6.4.1 建立三极管微变等效电路模型——H参数等效电路 图6.13 三极管及其H参数等效电路 图6.14 三极管H参数简化模型 6.4.2 用H参数微变等效模型分析共射基本放大电路 图6.15 共射基本放大电路 图6.16 共射基本放大电路H参数简化模型 图6.17 求解共射基本放大器输出电阻的简化模型 6.4.3 放大器工作点的稳定与射极偏置放大电路 (1)温度对工作点的影响 ①ICBO随温度上升而上升 ②β随温度上升而上升 ③UBE随温度上升而下降 (2)Q点稳定的射极偏置电路 图6.21 射极偏置放大电路 图6.22 射极偏置放大电路H参数简化模型 6.5 共集电极和共基极放大电路 6.5.1 共集电极放大电路 图6.23 共集电极放大电路 图6.24 共集电极放大电路的H参数简化模型 (1)计算Q点 第5章 常用半导体器件 5.1 PN结及其单向导电性 5.1.1 半导体，本征半导体和杂质半导体 图5.1 硅原子模型及共价健 图5.2 杂质半导体剖面图 5.1.2 PN结 图5.3 PN结的形成 5.1.3 PN结的单向导电性 图5.4 PN结的单向导电性 5.1.4 PN结的结电容 5.2 半导体二极管 5.2.1 半导体二极管