电路与电子技术基础第5章 半导体器件基础.pptVIP

2．极间反向电流：表征管子工作稳定性的参数。 ① 集电极-基极反向饱和电流ICBO 指发射结开路时，集电结的反向饱和电流。 ② 集电极-发射极反向饱和电流ICEO 指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流。 ICEO 与ICBO 之间的关系为 本章要点 本征半导体和掺杂半导体 pn结及其单向导电性 二极管及其特性 含二极管的电路分析 三极管及其特性 含三级管的电路分析 章 节 内 容 5.1 半导体基础知识 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应管(略） 5.5 Multisim二极管应用电路分析（略） 半导体是指导电性介于良导电体与绝缘体之间的一种材料，常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓（GaAs）等。 半导体是制造电子器件的主要材料，在于它具有如下性质： 热敏性：导电性能受温度影响很大，可制成热敏电子元件； 光敏性：导电性能受光照射强度的影响很大，可制成光敏电子元件； 杂敏性：通过掺入其他微量元素物质，可以非常显著地提高其导电性能。 此外，还有压力敏感、磁敏等，是制作各种传感器的重要材料。 5.1 半导体基础知识 5.1.1 本征半导体 5.1.2 本征半导体 最常用的元素半导体是硅和锗，它们在化学元素周期表上都是第IV族元素，即最外层只有四个价电子。 以硅原子为例：每个硅原子最外层的4个价电子分别和周围4个硅原子的价电子形成共用电子对，构成共价键结构。 1. 半导体的原子结构 将天然的硅和锗提纯可形成单晶半导体，在单晶半导体中，原子在空间排列成有规则的空间点阵。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 2. 本征半导体 完全纯净的、无任何结构缺陷的单晶半导体称为本征半导体。 本征半导体中，共价键对价电子的束缚力非常强，热力学温度为零度（T=0K）且无其他外界激发的情况下，半导体不能导电。 当温度升高或受到其他外界因素的激发时 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的价电子 挣脱原子核束缚的 电子 成为自由电子 价带中留下的空位 称为空穴 能够参与导电的带电粒子统称为载流子 半导体中存在两种载流子，即自由电子和空穴。 3.本征激发与复合 本征激发：半导体由于热激发产生自由电子空穴对的现象。 本征激发产生的自由电子和空穴总是成对出现的，二者数量相等。 本征半导体中的电流等于自由电子电流和空穴电流之和。 复合：自由电子在运动过程中，如果与空穴相遇，就会填补空穴，使自由电子和空穴成对消失。 在本征半导体中自由电子的浓度和空穴的浓度相等，且在材料一定的情况下载流子的浓度随温度升高而增大。 5.1.3 杂质半导体 1、 N型半导体： 在本征半导体中掺入+5价元素，如掺磷（P）。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 自由电子是多数载流子 空穴是少数载流子 杂质原子提供 由热激发形成 由于五价元素的核外电子中有一个电子不受共价键束缚，所以很容易成为自由电子 2、 P型半导体： 在本征半导体中掺入+3价元素，如掺硼（B）。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +3 由于三价元素的核外只有三个价电子，因而一个掺杂元素将形成一个空穴。 自由电子是少数载流子 空穴是多数载流子 杂质原子提供 由本征激发形成 5.1.4 PN结 通过特殊的工艺，在一块半导体晶片上分别生成P型掺杂区和N型掺杂区，则两个区域的交界处处就形成了一个具有特殊导电性能的带电薄层，这就是PN结 。 P区 N区 扩散运动 载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运动 形成的电流成为扩散电流 内电场 内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 即促进了漂移运动 白色的点代表空穴， 红色的点代表电子 扩散运动=漂移运动时 达到动态平衡 PN结无电流流过 空间电荷区 也叫耗尽层 1. PN结 2. PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 1. PN结正偏时 低电阻 大的正向扩散电流 伏安特性 2. PN结反偏时 伏安特性 高电阻 很小的反向漂移电流 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 PN结正偏的伏安特性 PN结反偏的伏安特性 3. PN结的击穿特性 反向击穿