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- 2019-09-06 发布于江苏
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一、电参数介绍
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1、各个参数之间的关系 A.在所有参数中,只有电压和电流是测量值,其他参数均是计算值。 B.Pmpp为在I-V曲线上找一点,使改点的电压乘以电流所得最大,该点对应的电压就是最大功率点电压Umpp,该点对应得电流就是最大功率点电流Impp C.Rs为在光强为1000W/M2和500W/M2下所得最大功率点的电压差与电流差的比值,只是一个计算值,所以有时候会出现负值的情况 D.Rsh为暗电流曲线下接近电流为0时曲线的斜率 E.Irev1为电压为-10V时的反向电流 F.Irev2为电压为-12V时的反向电流 G.Rs和Rsh决定FF H.Rsh和Irev1、Irev2有对应的关系 I.计算公式: J.Ncell= Pmpp/S(硅片面积) K.Pmpp= Umpp*Impp= Uoc*Isc*FF L.FF=(Umpp*Impp)/(Uoc*Isc)
二、转换效率的影响因素
三、测试外部参数影响
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正常测试温度为25±2℃,随着温度的升高,开路电压急剧降低,短路电流略微增大,整体转换效率降低 正常光强为1000±50W/M2,随着光强的降低,开路电压略微降低,短路电流急剧下降,整体转换效率降低
四、串阻Rs组成 测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成: 1.材料体电
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