微电子元器件第六章场效应晶体管.pptVIP

第六章场效应晶体管 场效应：半导体的电导被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应 单极型晶体管：只有一种载流子参与导电过程的半导体器件。 场效应晶体管可分为： 1、结型场效应晶体管（ JFET）； 2、金属一半导体场效应晶体管(MESFET) ； 3、金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)。 6.1场效应晶体管的工作原理 场效应管（英缩写FET）是电压控制器件，它利用输入电压来控制输出电流的变化。具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。 6.1.1晶体管的负载线 由实验测得电压和电流的对应关系，可得器件的I-V特性曲线。该电路的电压回路方程可写为： 器件的工作状态受到了VG的控制。比如，在该例中，VG=0.5V时，器件两端的直流电压和通过负载的直流电流分别是VD=5V和ID=10mA。不管VG是多大，通过负载的电流和器件两端的电压总是在负载线上变化。 6.1.2 放大和开关作用 电压控制的放大作用： VG上叠加一交流分量，如VG围绕直流分量变化0.25V, VD变化2 V, 交流电压放大倍数为2/0.25=8 ; 开关作用： VG适当变化，电流在iD=0点和iD=E/R之间切换，类似于一个开关。 6.2 结型场效应晶体管（ JFET ） 6.2.1夹断和饱和-工作原理 6.2.2 栅的控制作用 若在栅极上施加负偏压，即VG?0，那么即使漏极偏压很小，沟道也很容易被夹断。负栅偏压使耗尽区的宽度增大，从而使沟道的宽度减小；在较小的漏极偏压下，沟道漏端将首先被夹断。栅压越负，将沟道夹断所需的漏极偏压就越小；同时，饱和电流也比VG=0V时的饱和电流减小了，如图6.5b所示。显然，在不同的栅偏压下，可得到一簇，I-V曲线。 6.2.3 JFET的I-V特性 理想的JFET基本假设及其意义 单边突变结：SCR在轻掺杂一侧 沟道内杂质分布均匀：无内建电场，载流子分布均匀，无扩散运动。 沟道内载流子迁移率为常数； 忽略有源区以外源、漏区以及接触上的电压降，于是沟道长度为L； 缓变沟道近似，即空间电荷区内电场沿y方向，而中性沟道内的电场只有X方向上的分量：二维问题化为一维问题。 长沟道近似：L?2（2a），于是W沿着L改变很小，看作是矩形沟道。 6.2.3 JFET的I-V特性 6.2.3 JFET的I-V特性 一、夹断前的电流－电压特性 JFET中x处耗尽层宽度为 JFET的I-V特性 6.2.3 JFET的I-V特性 6.2.3 JFET的I-V特性 沟道夹断与夹断电压： 在夹断点，令 以及 ，可求得夹断电压： 式中 为夹断电压。常称 为内夹断电压。由式（5-6）可见，夹断电压仅由器件的材 料参数和结构参数决定，是器件的固有参数。 6.2.3 JFET的I-V特性 例题 N沟道JFET有： 以及 ? 。求：（a）夹断电压 和 ，（b）在栅极和源极两者接 地时， 的漏极电流。 解： 6.2.3理想JFET的I-V特性 小结 建立了理想JFET的基本假设。 在理想JFET的基本假设的基础上导出了夹断前JFET的I－V特性方程 深入介绍了沟道夹断和夹断电压的概念。由 可见，夹断电压仅由器件的材料参数和结构参数决定，是器件的固有参数。这就是“在夹 断点夹断电压相等”一语的根据。? 一、线性区 令 ,（5-4）式中的第二项： 把（5-7）式代入（5-4）式并简化，得到 （5-8） 上式表明，漏极电流对漏极电压的确是线性依赖关系（5-8）式也反映出栅极电压对I-V曲线斜率的明显影响。 静态特性 二、饱和区 在夹断点首先发生在漏端，漏极和栅极上的偏置电压的大小满足条件 可见，夹断电压由栅电压和漏电压共同确定。对于不同的栅电压来说，为 达到夹断条件所需要的漏电压是不同的。 在图5-4?a中把（5-9）式绘成曲线，称为夹断曲线。超出夹断曲线的电流— 电压特性称为饱和区，这是由于漏极电流是饱和的。 把（5-9）式代入（5-4）式，导出饱和漏极电流 ： （5-10）式称为JFET的转移特性，并绘于图5-5中。在图5-5中，还画出了