半导体器件物理(第二版)第二章标准答案.docVIP

2-1．结空间电荷区边界分别为和，利用导出表达式。给出N区空穴为小注入和大注入两种情况下的表达式。 解：在处 而 （） (此为一般结果) 小注入：（） 大注入： 且 所以 或 2-2．热平衡时净电子电流或净空穴电流为零，用此方法推导方程 。 解：净电子电流为 处于热平衡时，In＝0 ，又因为 所以，又因为（爱因斯坦关系） 所以， 从作积分，则 2-3．根据修正欧姆定律和空穴扩散电流公式证明，在外加正向偏压作用下，结侧空穴扩散区准费米能级的改变量为。 证明： 从积分： 将代入 得 2-4． 硅突变结二极管的掺杂浓度为：，，在室温下计算： （a）自建电势（b）耗尽层宽度 （c）零偏压下的最大内建电场。 解：（a）自建电势为 （b）耗尽层宽度为 (с) 零偏压下最大内建电场为 2–5．若突变结两边的掺杂浓度为同一数量级，则自建电势和耗尽层宽度可用下式表示 试推导这些表示式。 解：由泊松方程得： 积分一次得 由边界条件 所以 再积分一次得 令 得： ， 于是 再由电势的连续性，当x＝0时 ， ： 所以 再由 得 故 将 代入上式，得 2–6．推导出线性缓变结的下列表示式：（a）电场（b）电势分布（c）耗尽层宽度（d）自建电势。 解：在线性缓变结中，耗尽层内空间电荷分布可表示为 Nd-Na＝ax a为杂质浓度斜率 设 由泊松方程得 积分为 当 时 =0， 即 所以 且 对式再积分一次得 因为 当 时 ， 当 时 ， 故 2-7．推导出结（常称为高低结）内建电势表达式。 解：结中两边掺杂浓度不同（），于是区中电子向区扩散，在结附近区形成,区出现多余的电子。二种电荷构成空间电荷，热平衡时： 令 则 即空间电荷区两侧电势差。 2-8．（a）绘出图2-6a中的扩散结的杂质分布和耗尽层的草图。解释为何耗尽层的宽度和的关系曲线与单边突变结的情况相符。 （b）对于的情况，重复（a）并证明这样的结在小的行为像线性结，在大时像突变结。 2-9． 对于图2-6（b）的情况，重复习题2-8。2–10．（a）结的空穴注射效率定义为在处的，证明此效率可写成 （b）在实际的二极管中怎样才能使接近1。 证明（a）： 而， 所以 （b）则 因为 ， 而 ，， 所以 即 所以 ，即， 即 受主杂质浓度远大与施主杂质浓度。 2-11．长结二极管处于反偏压状态，求： （1）解扩散方程求少子分布和，并画出它们的分布示意图。 （2）计算扩散区内少子贮存电荷。 （3）证明反向电流为结扩散区内的载流子产生电流。 解：（1） 其解为 （1） 边界条件： 有 将代入（1）： （2） 此即少子空穴分布。 类似地求得 （2）少子贮存电荷 X X 0 X X X X X 这是N区少子空穴扩散区内的贮存电荷，说明贮存电荷是负的，这是反向PN结少子抽取的现象。 同理可求得 。说明贮存电荷是正的（电子被抽取，出现正的电离施主）。 （3）假设贮存电荷均匀分布在长为的扩散区内，则 在空穴扩散区，复合率 在电子扩散区，复合率 ，可见，则空穴扩散区内少子产生率为， 电子扩散区内少子产生率为。与反向电流对比： 可见，PN结反向电流来源于扩散区内产生的非平衡载流子。 2-12． 若结边界条件为处，处。其中和分别与与具有相同的数量级，求、以及、的表达式。 解： (2),(3)分别代入(1)得： 从中解出： （4） （5） 将（4）（5）代入（1）： （6） （6）式即为N侧空穴分布。 类似的， 讨论： (1) 即长PN结： ，分子分母第二项近似为0 （此即长PN结中少子分布） 即短PN结： 若取（坐标原点），则 对的讨论类似有 （取） 对于短二极管： （取） （取） 2