VLSI大规模集成电路制造技术讲义.pptVIP

(VLSI)大规模集成电路制造;目录绪论第一章 衬底制备第;绪 论一、概念 集成电路;集成电路芯片设计过程框架是功能;二、集成电路技术的发展 ;集成电路是在平面晶体管发明以后;50年代中期以后，又将印刷照相;1958年，制成了第一只单片集;集成电路按规模分类：1.小规模;3.大规模集成电路（LSI）：;三. 集成电路制造过程 设计芯;第一章????? 衬 底 制 ;一． 衬底材料衬底材料主要有三;二、切片采用切片机将单晶锭切割;瘌导判零梳毁阐阋免几砦蜻鹣幛被;由氧化、淀积、离子注入或蒸发形;跤磅黛执凿臀蒌缋握缉圻啃隽枇侗;集成电路芯片的显微照片嚏砚苤猡;集成电路的内部单元(俯视图)屏;三、???? 研磨（磨片）切片;四、??? 抛光抛光是一种表面;1、? 机械抛光：与磨片一样，;2、? 化学抛光：利用化学作用;3、? 化学机械抛光：是利用化;二氧化硅化学机械抛光是利用Na;沟道长度为0.15微米的晶体管;栅长为90纳米的栅图形照片猬厥;100? m头发丝粗细 ;第二章 外 延?;同质外延： 生长的外延层与;直接生长法： 就是不经过中间;本章着重介绍同质硅外延的生长机;第一节??????????? ;氢还原四氯化硅法是以氢气作为还;实际反应比较复杂，还有许多中间;二、??? 外延层的生长速率1;由于SiCL4的腐蚀作用，降低;2、生长速率和外延温度的关系 ;在较低的温度下(1100°C;所以，在生产上为了控制方便，外;3、生长速率和衬底取向的关系 ;三、外延层中的掺杂 不同的半导;掺杂就是在外延过程中加入杂质原;制膜与外延:化学汽相淀积(Ch;化学汽相淀积(CVD)1.常压;APCVD反应器的结构示意图皎;LPCVD反应器的结构示意图棍;平行板型PECVD反应器的结构;单晶硅的化学汽相淀积(外延)：;多晶硅的化学汽相淀积：利用多晶;物理气相淀积(PVD):蒸发：;第2节???? 外延层性能的检;一、??????? 电阻率的检;三探针法主要用于测量n/n+(;挚蜣诞捕钼酮狞颠颧梦渗蹋褶间酞;探针1和探针3一般由杜美丝或高;首先用一组已知电阻率的标准样品;脞荻闼显畚赚憔绳籼铗悲徘疙洒萤;需要注意两点：1.??? 外延;二、 外延层厚度测量测量外延层;碗涿桨骡妞骋麻剌肺铭醚臻痉午捎;显示层错的腐蚀液为：（50克C;三、? 夹层的测量夹层是指在n;V＝（I/G）（ρsub/xs;由于衬底的并联短路作用，正常情;四、? 缺陷的检测外延层缺陷主;第三章?? 氧 化氧化;1、二氧化硅膜对杂质的掩蔽作用;2、二氧化硅对器件表面的保护和;3、二氧化硅膜用于器件的电绝缘;4、二氧化硅膜用作电容器的介质;5、二氧化硅膜用作MOS场效应;第一节??? 二氧化硅膜的制备;一、?? 热生长氧化法物质与氧;热氧化一般包括：干氧氧化、湿氧;1.水汽氧化水汽氧化是利用水汽;当氧化温度在1000oC以上时;水汽氧化的特点：生长速率较快，;2、干氧氧化法干氧氧化法是在高;干氧氧化法的特点：干燥、致密，;3、 湿氧氧化法湿氧氧化法是将;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意;桴戢鹄蠢籴酞沿何搡借檐镓蟥迟怙;二、热分解淀积氧化膜法（CVD;所以基片可以是硅片，也可以是金;1. 烷氧基硅烷热分解淀积法烷;2、 硅烷热氧化淀积法硅烷（S;这种反应不生成有机原子团等附产;3、 淀积法形成二氧化硅膜的特;第二节?? 二氧化硅膜的性质?;二氧化硅的密度由于制备方法不同;二氧化硅的折射率是表征薄膜光学;二氧化硅膜是一种良好的电介质，;荆罱杏袂乖钅旁汹棵萁恧拜豫酮篡;一、??????? 二氧化硅的;二氧化硅的另一重要性质是能与氢;生成的四氟化硅能进一步与氢氟酸;综合以上两部反应，可得总的反应;生产中光刻扩散窗口和引线窗口等;第三节????? 二氧化硅膜质;一、??????? 氧化层膜厚;企苒缜茂瘦甑资悯鲚峰矿立璩钌贝;从表中可以看出，氧化膜颜色随其;另外，还要注意，表中所列的颜色;2、椭圆偏振法目前测量氧化膜厚;二、 表面质量检验1.宏观缺陷;2.微观缺陷:(1).Na+污;第四章 光 刻在半导;超细线条光刻技术甚远紫外线(E;通常采用紫外线接触曝光光刻法，;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光;第一节 光致抗蚀剂（光刻;一、??????? 负性光致抗;二、正性光致抗蚀剂（正胶）曝光;三、 对光致抗蚀剂性能的要求1;3、粘附性能好：抗蚀剂与衬底（;第二节 光刻工艺原理?在;阒追秩哭庶卷践庙蜥岜掖蛹阌砬嬗;一、涂胶(图a)涂胶就是在Si;涂覆胶膜的厚度要适当、均匀，胶;二、?? 前烘(图a)前烘就是;前烘的温度和时间必须合适温度过;三、 曝光(图b)曝光就是对涂;1、接触式曝光：通常采用紫外线;2.非接触式曝光：目前比较先进;四