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两端接地时屏蔽层中电流对接收器的影响 电路中,电流IS是由于地电位差或外界噪声耦合而产生的屏蔽层上的噪声电流。若沿着输入环路将电压加起来,可有: S S S S S IN I R I L ω j MI ω j V + + = - 所以: 由此可见:任何时候只要屏蔽层上有噪声电流,都会在接收器上产生噪声电压。即便是屏蔽层只有一端接地,由于屏蔽层的容性耦合屏蔽层上仍可能有噪声电流流动。因此,为了在低频是最大限度地防止噪声,屏蔽层不应作为信号导线之一,并且电路的一端必须与地隔离。 高频是,同轴电缆包含3个孤立的导体:中心线、内屏蔽层和外屏蔽层。由于集肤效应的存在,屏蔽层内外表面彼此隔离,因此以上噪声不会发生,因为信号在屏蔽层内表面上,噪声电流在外表面上,他们之间没有公共阻抗。 屏蔽转移阻抗 电缆的屏蔽效能也可以用屏蔽转移阻抗来表示。屏蔽转移阻抗是电缆屏蔽层的特性,它表示中心导线和屏蔽层之间单位长度的开路电压与屏蔽层电流之间的关系,可以表示为: ZT为转移阻抗,用Ω/m表示;IS为屏蔽层电流;V是中心导线与屏蔽层之间感应的开路电压;l是电缆长度。 低频时,转移阻抗等于屏蔽层的直流电阻 高频时由于集肤效应,转移阻抗下降,电缆的屏蔽增大。频率继续增加后,屏蔽层电流只在外表面流动,消除了两个电流间的公共阻抗耦合 实芯屏蔽层转移阻抗归一化曲线 第四节 磁性耦合的实验数据 下面是对各种不同电缆配置的磁场屏蔽性进行的测试比较,测试装置如下: 对于所有被测电缆来说,频率50kHz都大于其5倍的屏蔽层截止频率。 以两端接地电路,屏蔽层不接地电缆,中心导线的噪声电压为参考电平(0dB)。 两端接地电路实验测量: 屏蔽层一端接地,电流回流面积不变,无衰减 屏蔽层两端接地,因噪声频率大于屏蔽层截止频率,可以提供磁场防护。如果不受电路两端接地形成的地环路影响,这种保护作用更大。 使用双绞线,可以更大程度地降低磁场噪声。由于电路两端接地形成的地环路影响,削弱了它的效果。 屏蔽双绞线,屏蔽层单端接地,没有比直接使用双绞线取得更大的噪声衰减。 屏蔽双绞线,屏蔽层两端接地,由于低阻抗屏蔽层可将一些磁感应地环路电流从信号线中分流,所以与双绞线相比,取得15dB的附加衰减。 单端接地电路实验测量: 由于没有了地回路噪声地,屏蔽电缆比双端接地电路,取得53dB的附加衰减。 去除地回路噪声地,双绞线也取得53dB的附加衰减。 我们希望双绞线能有更大的衰减,双绞线屏蔽效能的降低是因为此时出现了一些电场耦合,通过在双绞线上放置屏蔽层,可以获得15dB的附加衰减。 这种连接方式虽然也能去除电场耦合,但是屏蔽层地回路噪声会产生噪声影响,可以看出屏蔽性能降低了7dB。 这种连接方式提供了更好的磁衰减效果,取得了7dB的附加衰减。但是由于屏蔽层上的任何噪声都能进入信号线,所以一般不采用。把屏蔽层和信号线单点接地几乎总会有最好的效果,这是因为屏蔽层上的噪声电流不必经过信号线就可以回到地。 第五节 常用电缆 一、同轴电缆和屏蔽双绞线 从信号传输的观点来看,在频率低于100kHz时,屏蔽双绞线是最有用的,在一些应用中,它的使用频率也可达到10MHz,但在1MHz以上,屏蔽双绞线上的损耗会显著增加; 另一方面,同轴电缆就有更加一致的特性阻抗和更低的损耗。所以,从0Hz到VHF频段,同轴电缆都很有用,有些应用甚至可以延伸到UHF频段。但在几百兆赫以上时,同轴电缆的损耗增大,波导变得更适用。由于屏蔽双绞线比同轴电缆具有更大的电容,所以不宜在高频或高阻电路中使用。 同轴电缆单点接地能够在很大程度上减小容性耦合的噪声,但是如果噪声电流在屏蔽层中流动,就会产生噪声电压,噪声电压的大小等于屏蔽层电流乘以屏蔽层电阻。由于屏蔽层是信号线的一部分,所以这个噪声会窜入输入信号表现为噪声形式。双层屏蔽电缆(有两个屏蔽层且层间绝缘)能够消除因屏蔽电阻产生的噪声。此时,噪声电流在外屏蔽层上流动,信号电流在内屏蔽层上流动,两个电流不流经公共阻抗。 但双层屏蔽电缆即昂贵使用难度又大,高频时由于集肤效应,可将同轴电缆看作是双层屏蔽电缆。对于一个典型的屏蔽电缆,频率大于1MHz集肤效应就开始变得十分重要了。 屏蔽双绞线也具有类似的双层屏蔽电缆的特性,而且不像双层屏蔽电缆那么昂贵难用。屏蔽双绞线信号流入两根导线,所有噪声电流流入屏蔽层,这样就不存在公共阻抗耦合。 除非电路终端是平衡的,否则双绞线对容性耦合几乎没什么保护作用,但是它对磁场耦合的保护却非常好。屏蔽双绞线对低频信号
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