Q_HRLS H002-2014电子专用材料单晶硅.pdf

Q/HRLS 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司 企业标准 Q/HRLSH002-2014 电子专用材料单晶硅 2014-05-1发布 2014-10-1实施 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司发布 Q/HRLSH002-2014 前 言 本标准按GB/T 1.1-2009 《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写规则》及GB/T 1.2-2002 《标准化工作导则 第2部分：标准中规范性技术要素内容的确定方法》规定编写。 起草单位：本标准由廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司提出并负责起草。 起草人：贾建亮、黄永恩、贾建恩、周子江、孙艳。 本标准首次发布时间：2014年5月1日。 1 Q/HRLSH002-2014 电子专用材料单晶硅 1 范围 1.1本标准规定了电子专用材料单晶硅棒、单晶硅片的术语和定义、技术要求以及标志、 包装、运输、贮存。 1.2 本标准适用于制造电子专用材料的单晶硅棒、单晶硅片。 2 规范性引用文件 以下国家标准、地方标准适用于本文件，其最新版本适用于本文件。 GB/T 12962-2005 硅单晶 GB/T 191-2008 包装储运图示标志 3 术语和定义 3.1 导电类型 电子专用材料中多数载流子的性质所决定的导电特性。 3.2 杂质浓度 单位体积内杂质原子的数目。本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量、金属含量。 3.3 体电阻率 单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。一般来说，体电阻率为材料中平 行电流的电场强度与电流密度之比。符号为ρ，单位为Ω·cm 。 3.4 寿命 晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度 衰减到其始值的1/e(e 2.718)所需的时间。又称少数载流子寿命，简称少子寿命。寿命符号 τ，单位为μs 。 3.5 孪晶 在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。连接两部分的界面称为孪晶或孪 晶边界。在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为(111)面。 3.6 单晶 不含大角晶界或孪晶界的晶体。 3.7 直拉法(CZ) 本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法， 又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。 2 Q/HRLSH002-2014 3.8 位错密度 单位面积内位错的总个数(个/cm2)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表 示。 3.9 晶向 同一个格子可以形成方向不同的晶列，每一个晶列定义了一个方向，称为晶向。 3.10 晶向偏离度 晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。 3.11 漩涡缺陷 晶体生长时，由于生长速度波动等原因，而生成的一种呈圆状或圆环状的缺陷。 3.12 黑边缺陷 晶体生成时，晶体边沿由于沾污严重或剧烈热冲击等原因，而生成的一种缺陷。 3.13 线痕 硅片在切割时，切割钢线在其表面留下的凹凸线状痕迹。 3.14 硅片厚度 垂直于硅片表面方向穿过硅片的距离，取值可分为单片中心点值和单片多点均 。 值 3.15