多晶硅的检测和生长(大全).ppt

4.2.1 硅的纯化 硅晶圆片的制造时一个多步工艺，它从石英砂（主要成分是SiO2）的纯化一直到最后的打磨和缺陷检查。 纯化过程 1 通过碳将石英砂还原，产生纯度为98%的纯净硅，称为冶金级硅，反应方程式为 3 冶金级硅中的主要杂质（Fe，B，P）则反应形成FeCl3，BCl3，PCl3/ PCl5。三氯硅 烷气体通过蒸馏法纯化，其中高沸点的FeCl3 和PCl3/ PCl5，以及低沸点的BCl3同时被去除,然后再通过在热硅棒上的还原反应转化为固体硅，这是产生的硅纯度相当高，称为电子级硅，它是一种多晶材料，作为单晶硅生长的原材料 2 冶金级硅再转化为气态三氯硅烷SiHCl3，沸点为31.8℃，反应方程式为 4.2.2 直拉法（CZ）单晶生长 将多晶硅放在石英坩埚中，坩埚在真空状态下加热到1420℃将硅融化，将一个已知晶向的单晶硅籽晶插入融化的硅中，硅就顺着籽晶的晶向方向凝固起来。 硅锭的直径是由硅锭的拉拔速度决定的，大直径硅锭的拉拔速度较慢。 对于直径200mm的硅锭来说，典型的拉拔时间为30小时，而加热和冷却的时间再需要30小时。 在晶体生长过程中，石英坩埚会有轻微的溶解，因此，晶体中往往都会存在浓度为5~20x10-6原子的氧 用合成石英作为坩埚材料，由CZ法生成的硅锭纯度就会大大提高 在1420℃下石英坩埚的机械强度不足，需要在下面垫一个石墨的基座。石英坩埚会和石墨基座发生如下反应 其中的CO就变成CZ法晶体的碳源，浓度一般为1016/cm3 4.2.3 掺杂物质的引入 将杂质融入液态硅中就可以引入硅锭，不同的掺杂剂具有不同的分凝系数。分凝系数定义为 如硼的分凝系数0.8、磷为0.35、砷为0.3 CZ法中，随着拉拔过程的进行，硅熔融液的容积会降低，掺杂剂的浓度随之升高，因此硅锭中的掺杂度是随着长度的增加而增加的 由于在生长过程中，晶体是一直旋转的 ，中间层和边缘层的厚度是不一样的，这就造成放射状掺杂的不均匀性。 在硅熔融液中的随机热量波动会造成局部电阻率的变化。 一些掺杂剂（As，Sb以及氧）会从硅熔融液中挥发出来，这会导致晶体轴向上的掺杂浓度受晶体拔杆中气流的影响。 CZ法改进 因为熔融的硅具有导电性，因此可以通过磁场来控制硅熔融液的流动行为。通过磁场可以减少局部的热量波动和流动波动，这样就可以产生一个更稳定的硅熔融液，从而可以进行更为均一化的生长。这种 磁性直拉（Magnetic Caochralski，MCZ）晶体生长法可以更好地控制晶体中的氧的浓度。 4.2.4 区熔法晶体生长 区熔法（Float zone, FZ）晶体生长应用于制造高纯度硅或无氧硅。 在区熔法晶体生长中，一个多晶硅锭安置在一个单晶籽晶上。多晶硅锭由一个外部的射频线圈加热，使得硅锭局部融化。随着线圈和熔融区的上移，单晶籽晶上就会凝固出单晶硅。 FZ法生成硅的最高电阻率可达20000Ω·cm，而CZ法则最高达100 Ω·cm FZ法因为没有用到石英坩埚，故生成的晶体中没有氧和从坩埚引入的金属杂质。但是 正是因为缺少氧对硅的机械性能的加强，FZ法生成的晶圆片的机械强度较小。最大尺寸为直径150mm。也有200mm的晶圆片被展览，但还未被用于器件制造 4.3硅的晶体结构 硅的晶体是立方体金刚石晶体结构 硅晶格：一个晶胞中含有8个原子 4）连续点击OK十次→ 取出校准片 备注：1、标准片校准区域应对准红外线放置，否则影响其校准准确性 2、 04、05校准片校准时应一一对应，勿混淆 3、校准完毕后应将此模块关闭，再重新打开测试，否则测试不出 ATM检测流程与内容 每班上班检验前应做： 查看下料盒是否与盒外标识一致，如不一致应及时将其更改过来 查看本班检验的硅片供应商及型号是否与上班检验的一致，如一致就正常检验，如不一致应更改成本班硅片测试的型号及下料盒数量等 校准电阻率、厚度、并如实填写校准记录 校准少子寿命 将1、2模块关闭清零，以便于记录测试数据 进入4号模块内，对电阻率进行保存 （例如： jiang xi jing ke 125S-165 100000 C) 如本班是周二（白班）应对机器进行周保养及对TTV的校准 中途切换硅片检验时 先确认检验型号是否一致，如不一致需将型号更改切换 确认包装数量是否一致，如不一致需调整下料盒内数量：6号界面内点击confing更改1、2、3号盒内的数量，点击save保存 切换到4号模块内，点击 clear statistcs更改电阻率保存的文件名（如jiang xi jing ke 125S-165 100000 C) 若此批来料很