半导体物理学简明教程 教学课件 作者 陈治明 第5章 金属和半导体的接触2011.pdf

11/7/2009 第五章 金属和半导体的接触 • 5.1金属 半导体接触及其平衡态 5.1.1 金属和半导体的功函数 5.1.2 有功函数差的金- 半接触 5.1.3 表面态对接触电势差的影响 5.1.4 欧姆接触 • 5.2 金属 半导体接触的非平衡状态 5.2.1 不同偏置状态下的肖特基势垒 5.2.2 正偏肖特基势垒区中的费米能级 5.2.3 厚势垒区金属 半导体接触的伏安特性 5.2.4 薄势垒区金属 半导体接触的伏安特性 5.2.5 金 半接触的少子注入问题 5.2.6 非平衡态肖特基势垒接触的特点及其应用 * 1 11/7/2009 金属－半导体接触 Ø金－半接触的整流效应是半导体物理效应的早 期发现之一，并且最早付诸应用： Ø1874年，德国物理学家布劳恩发现金属探针与 PbS和FeS 晶体的接触具有不对称的伏安特性； 2 Ø1876年，英国物理学家亚当斯发现光照能使金 属探针与Se的点接触产生电动势； Ø1883年，福里茨发现金属探针与Se的点接触的 整流特性； * 1 11/7/2009 金属－半导体接触 1904年，美国电气工程师鲍斯获得Si和PbS点接 触整流器的专利权 1906年，美国电气工程师皮卡德获得点接触晶体 检波器的专利权，这种器件是晶体检波接收机（ 即矿石收音机）的关键部件； 1920年，硒 （Se）金－半接触整流器投入应用； 1926年，Cu O点接触整流二极管问世，并在二战 2 中应用于雷达检波。 * 1 11/7/2009 第五章 金属和半导体的接触 • 5.1金属 半导体接触及其平衡态 5.1.1 金属和半导体的功函数 5.1.2 有功函数差的金- 半接触 5.1.3 表面态对接触电势差的影响 5.1.4 欧姆接触 • 5.2 金属 半导体接触的非平衡状态 5.2.1 不同偏置状态下的肖特基势垒 5.2.2 正偏肖特基势垒区中的费米能级 5.2.3 厚势垒区金属 半导体接触的伏安特性 5.2.4 薄势垒区金属 半导体接触的伏安特性 5.2.5 金 半接触的少子注入问题 5.2.6 非平衡态肖特基势垒接触的特点及其应用 * 1 11/7/2009 5.1.1 金属和半导体的功函数 • 1、金属的功函数 • 2、半导体的功函数 l功函数的定义: 真空能级E0 与费米能级EF 能量之差. W= E - E E 0 F 0 W W E EF F * 1 11/7/2009 1、金属的功函数 •金属中的电子虽然在金属中自由运动，但要使电子从 金属中逸出必须由外界给它以足够的能量.因此,金属向 真空发射电子需要最低能量,这一最低能量定义为金属 的功函数.功函数的大小反映了电子在金属中被束缚的