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4. 动态分析 例1:电路如图,求: (1)求静态工作点; (2)画微变等效电路; (3)计算动态参数。 该例为教材P54例15.4.2
稳定静态工作点的方法:
1.引入直流负反馈
2.温度补偿:利用对温度敏感的元件,在温度变化时直接影响输入回路。
例如,Rb1或Rb2采用热敏电阻。 它们的温度系数?
衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。 下限频率 上限频率 15.5 放大电路的频率特性 实际的放大电路的输入信号往往是非正弦量,含有各次谐波成分,而电路中的电容对各个谐波分量的阻抗是不一样的,因此放大电路对不同谐波分量的放大效果是不一样的,导致输出信号不能重现输入信号波形,这样就会产生幅度失真和相位失真。
由于电容、电感及放大管PN结的电容效应及不可预测的电容,使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降,并产生相移。
扩音器的同频带是多少?人耳能听到的声音20HZ—20000HZ
4. 最大不失真输出电压Uom:交流有效值。理想三极管(B处处相等)
问:测放大倍数、输入电阻和输出电阻应该用什么样的信号?(中频小信号)测频带时用什么样的信号?(小信号宽频率范围)测最大不失真电压时用什么信号?(中频,信号尽量大,可用失真度仪测量)
5. 最大输出功率Pom和效率η:功率放大电路的参数
下面结合具体电路理解性能指标 * * * * * * * * 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 近似估算法 一、晶体管的微变等效电路 半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化。利用线性元件建立模型,来描述非线性器件的特性。
从两个方面建模:1.找出与晶体管性能一样的具体电路,大概需要40个元件,模型精确;2.根据外特性建模,即二端口的等效电路。
我们分析特定条件下的模型,即低频小信号。 低频小信号模型 输入信号很小时,Q点的切线与曲线重合,rbe为常数。
Q点不同rbe不同,IEQ越大rbe越小。 对于低频小功率管的输入电阻估算: IE :发射极电流的静态值; β:晶体管的电流放大系数; rbe:晶体管的输入电阻,一般为几百欧~几千欧 (动态电阻)。 在输入特性曲线上,Q点越高,rbe越小! 手册中常用hie表示 该式体现了Q点(IEQ)对动态性能的影响。IEQ越大,Q点在输入特性曲线上的位置越高,而曲线越陡,rbe越小。
在输入特性曲线上,横轴为毫伏级,纵轴为微安级,二者的比值一般为十几K到几百欧(只对低频小信号而言) 低频小信号模型 小信号时,阻值很高,与受控源并联的电阻约为几十到几百kΩ 考虑曲线上翘影响 iC=βib+ ?iC 同样 IB下, uCE增大,iC在βib的基础上略有增大 rce ?iC 相当在βib的基础上并了一个?iC支路,支路中的电阻为rce。 iC βib uce - + Q UCE IC ?IC ?UCE O IB=0μA 10μA 20μA 30μA 放大区 IC/mA UCE/V IB 电路交流通路的微变等效电路板书 输入电阻中不应含有Rs! 输出电阻中不应含有RL! 电压放大倍数为什么为负?输出与输入反相。
1.放大倍数与RL有关,与β和rbe都有关,与IE有关。Q点位置越高,则rbe小,电压放大倍数大,但Q点不能太高,太高则容易出现饱和失真,设计电路时都要求放大倍数、输入电阻和输出电阻合适,而不要求Q点设置在什么位置,Q点是暗含在其中的。
2.输入电阻大点好,因为如果小:第一,从信号源取得电流大,增加信号源负担;第二,与信号源内阻分压,实际加到放大电路输入端的电压小,从而减小输出电压;第三,后级放大电路的输入电阻就是前级放大电路的负载,从而降低前级放大电路的电压放大倍数。
3.RC一般为几K欧,共射放大电路的输出电阻较高.输出电阻受Q点的影响是通过Rc体现的。
在电压放大电路中,需使Ri尽量大。在增大Au 时,要考虑两点:Q点正常吗?Ri被减小的数值能容忍吗?
各参数的变化要以设计目标能否容忍为标准。
注意:1.改变了一个参数时必须注意它还改变了什么?2.一定要先静态再动态,实验时也是如此。
本页内容板书
希望ro低:放大器相当恒压源, RL变,Uo(有效值)不变(RLro),带负载能力强。练习P89 15.3.6 15.3.2 图解法 0 t uce 从图上来看,电压放大倍数 对上述图解法的说明: 1. 变化的输入信号产生变化的ib,产生变化的ic,产生变化的uce; 2. 电压和电流均含有交、直流分量,但输出只有交流分量; 3. 输出信号和输入信号相位相反; 4.RL值越小,交流负载线越陡,电压放大倍数下降。 该页为上页的说明 讨论一 画出图示电路的直流通路和交流通路。 讨论二: 1. 在什么参数
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