不同形状的电流阻挡层对GaN基LED光效的影响-发光学报.pdf

第34卷摇 第4期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾4 2013年4月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Apr. ,2013 文章编号:1000鄄7032(2013)04鄄0480鄄05 不同形状的电流阻挡层对 GaN基LED光效的影响 * 曹伟伟,朱彦旭 ,郭伟玲,刘建朋,俞摇 鑫,邓摇 叶,徐摇 晨 (北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京摇 100124) 摘要:电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用 有影响。 本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/ GaN多量子阱外延片上制备了SiO2 薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P 电极形状相同,B组为Y形 CBL,C组为点状 CBL。 通过对这3组芯片与常规芯片的对