MEMS气体压力传感器的设计和封装研究-开题报告.doc

开 题 报 告 MEMS气体压力传感器的设计与封装研究 学 生 姓 名： 专 业 班 级： 机械 学 号： 指 导 老 师： 论 文 题 目 MEMS气体压力传感器的设计与封装研究 论文选题来源 ￡国家及科研项目 ￡省级科研项目 ￡市校级科研项目 √自选项目 本课题研究的目的，对国民经济或学术上的价值和意义，国内外研究现状及发展趋势： 本课题的总体目标是在MEMS气体压力传感器设计和封装等方面取得一定具有实际应用价值的研究成果，形成有特色的研究体系。通过对硅压阻压力传感芯片的一系列研究，为MEMS气体压力传感器的设计、封装和应用提供重要的依据。 一、研究目的 MEMS(Micro electric-mechanical Systems)即微机电系统，是在集成电路生产技术和专用的微机电加工技术的基础上发展起来的高新技术。完整的MEMS一般是由微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、通讯接口和电源等部件组成的一体化的微型器件系统，其中微传感器用于感知外界信息，如力学、热学、光学、电磁学、化学等信号，微执行器用于控制对象, MEMS系统的尺寸通常在微米和毫米量级。MEMS技术是对传统机械加工技术的一种革新，MEMS器件可以做的很小，集成度很高，可以批量生产，大大降低了机电系统的成本，可以工作在很多微小尺寸的场合；也可以嵌入大尺寸机电系统中，极大的提高系统的自动化、集成化、智能化以及可靠性水平[1]。MEMS类传感器是近年来广泛应用的一类传感器。与传统的各种类型的传感器相比，MEMS传感器具有体积小、重量轻、耗能低、惯性小、可靠性高、响应时间短等优点。另外，由于应用了十分成熟的集成电路技术和硅微加工工艺，可以制造出高集成度、高可靠性、稳定性的传感器，适合大批量生产，大幅降低传感器的生产成本[2]。MEMS类传感器在航空、航天、汽车电子、生物、医疗、环境监测、工业自动化、军事等几乎人们接触到的所有领域中都有着十分广阔的应用前景。 二、价值和意义 传感器技术是现代科学技术发展水平的重要标志，它与通信技术、计算机技术构成现代信息产业的三大支柱。在各种传感器中，压力传感器是应用最为广泛的一种。但目前使用的硅压力传感器主要是扩散硅压力传感器，其应变电桥采用P型扩散电阻，而应变膜是N型硅衬底，两者之间是自然的pn结隔离。当工作温度超过1200℃，应变电阻与衬底间的PN结漏电加剧，使传感器特性严重恶化以至失效，因而不能在较高温度环境下进行压力测量。而石油、汽车、航天等领域的使用要求，使高温压力传感器的研究成为必然[3]。 随着新材料、新工艺的不断出现，人们提出了多种高温压力传感器结构。目前已经研制出多晶硅压力传感器、SOI 单晶硅压力传感器、SIC压力传感器、SOS (Silicon on Sapphire)蓝宝石上硅压力传感器、石英压力传感器、溅射合金薄膜压力传感器、陶瓷厚膜压力传感器和光纤压力传感器等。多晶硅是半导体集成电路中广泛应用的薄膜材料[4]。它的物理和化学性质通常取决于薄膜的结构(如晶粒的尺寸)和掺杂的类型与浓度。80年代后期，基于多晶硅较大的压阻系数和良好的温度特性，有人提出了多晶硅高温压力传感器。多晶硅压力传感器以介质隔离代替PN结隔离，减小了器件在高温下的漏电，从而提高了传感器的工作温度。多晶硅的应变因子较大，因而传感器灵敏度高。多晶硅薄膜工艺成熟，传感器制作工艺为半导体集成电路平面工艺结合微机械加工技术，芯片易于批量制作，成本低廉。SOI (Silicon on Insulator)是新兴的半导体材料，具有自隔离、体漏电小、寄生电容小、抗辐射、无体硅门锁效应等特点，最早应用于大功率半导体器件。SOI材料的特殊结构使之也成为制作传感器的理想材料。国外已有研制成功的SOI单晶硅压力传感器，天津大学也研制出样品，目前正处于测试阶段。SOI单晶硅压力传感器的结构与多晶硅压力传感器相似，主要区别在于采用单晶硅薄膜制作惠斯通电桥的4个应变电阻。除保持多晶硅压力传感器己有长处和特点之外，由于单晶硅材料有更大的压阻系数(多晶硅薄膜在相同掺杂浓度下，压阻系数约为单晶硅材料的60%-70%) ,可以通过优化传感器芯片设计，进一步提高传感器的灵敏度。此外，SOI工材料是制作高温、高速、抗辐射等特殊集成电路的基本材料，SOI单晶硅压力传感器工艺是标准的集成电路平面工艺，这样就可以实现工作于恶劣环境的单片智能测压系统。SOIMEMS现己成为MEMS的主要研究方向之一[5]。 SiC材料是第三代直接跃迁型宽禁带的半导体材料。它的宽禁带结构、高击穿电压和较高热导率等特