三极管参数分析.docxVIP

三极符的参数解释 △入一光谱半宽度 △VF--正向压降差 △Vz…稳压范用电压增就 av…电压温度系数 a…温度系数 BV cer—基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 BVcbo—发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo—垠极开路.CE结击穿电压 BVces…基极与发射极短路CE结击穿电压 BVebo-集电极开路EB结击穿电压 Cib…共基极输入电容 Cic-一集电结势垒电容 Cieo…共发射极开路输入电容 Cies~J〔发射极短路输入11容 Cie…共发射极输入电容 Cjo/Cjn-?结电容变化 Cjo…零偏压结电容 Cjv…偏压结电容 Cj?-结（极间〉电容，表示在二极管两端加规定偏压下，緒检波二极管的总电容 CL…负载电容（外电路参数） 5—中和电容（外电路参数） Cob…共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo…共发射极开路输岀电容 Coe…共发射极输出电容 Co…零偏压电容 Co—输出电容 Cp—并联电容（外电路参数） Cre?共发射极反馈电容 Cs—管壳电容或封装电容 CTC-电容温度系数 CTV…电压温度系数。在测试电流卜J稳定电压的HI对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct 一总电容 Cvn—标称电容 di/dt…通态电流临界上升率 dv/dt…通态电压临界上升率 D--占空比 ESB—二次击穿能虽 fmax…最疝振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 fT-?特征频率 f.??频率 h RE—共发射极静态电压反馈系数 hFE…共发射极静态电流放大系数 hfe-■共发射极小信号短路电压放大系数 hlE—共发射极静态输入阻抗 hie…共发射极小信号短路输入阻抗 hOE?-共发射极静态输出电导 hoe…共发射极小信号开路输岀导纳 hre-Jt发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC…正向自动控制电流 IB2—单结晶体管中的基极调制电流 IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的般大值，或交流电流的最大平均值 IB—基极直流址流或交流电流的平均值 Icbo…基极接地,发射极对地开路,在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo…发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集屯极与发射极Z间的反向截止电流 leer…基极与发射极何串联电阻R.集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices--发射极接地，基极对地砸路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极Z间的反向截止电流 Icex—发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下.集电极与发射极Z间的反向截止电流 ICMP?-集电极战人允许脉冲电流 ICM—集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 ICM…最大输出平均电流 lc 一集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR—晶闸管I析态平均币：如11流 ID…暗电流 IEB10…双基极单结晶体管中发射极与第一基极何反向电流 IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 lebo-皋极接地，集电极对地开路.在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极Z间的反向截止电流 IEM-发射极峰值电流 IE—发射极宜流吐流或交流业流的平均值 IF （AV）…正向平均电流 IF（ov）-正向过载电流 IFM （IM） 一正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下.允许通过二极管的垠大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP…正向脉冲电流 IFRM…正向重复峰值电流 IFSM…正向不重复峰值电流（浪涌电流） IF…正向直流电流（正向测试电流）。緒检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅笹流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正毁半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值〉，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流：测稳压二极管正向 电参数时给定的电流 iF-?正向总瞬时电流 IGD…晶闸管控制极不触发电流 IGFW-控制极正向峰值电流 IGT…品闸管控制极触发电流 IH…恒定电流.维持电流。 li…发光二极管起辉电流 IL…光电流或稳流二极管极限电流 IOM--M大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流：在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过緒检波 二极管的最大工作电流 lop-匸作电流 10…整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP-峰点电流 IR（AV） 一反向平均电流 IR （In） 一反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值 时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正