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- 2019-09-11 发布于福建
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* 1.3 场效应晶体三极管(“FET”) P45 1.3.1 绝缘栅场效应管(“IGFET”) FET分: 1. IGFET ———— 1.NMOS —— ①增强型 ( 6 种管子) (又称“MOSFET”) ②耗尽型 2.PMOS —— ①增强型 ②耗尽型 2. JFET ————— 1.N沟道 2.P沟道 d g B s d g B s d g B s d g B s d g s d g s 1.3 场效应晶体三极管(“FET”) P45 1.3.1 绝缘栅场效应管(“IGFET”) FET分: 1. IGFET ———— 1.NMOS —— ①增强型 ( 6 种管子) (又称“MOSFET”) ②耗尽型 2.PMOS —— ①增强型 ②耗尽型 2. JFET ————— 1.N沟道 2.P沟道 d g B s d g B s d g B s d g B s d g s d g s s:Source 源极 d:Drain 漏极 g:Gate 栅极 B:Base 衬底 Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Insulted Gate Type Junction Type 。。。。 。。。。 。。。。。。。。。。。。 ·。 Si P衬底 一、 NMOS d g B
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