有机发光二极管专利的态势发布.pptVIP

* 关键技术研究内容 . 重点技术-多晶硅TFT 前沿技术-氧化物TFT 关键技术突破是技术进步、行业发展的必经之路。 研究关键技术，有助于业内企业明晰技术发展方向。 关键技术 关键技术 * 技术的专利现状 TFT技术申请量分布 关键技术 TFT申请量构成 TFT技术中日本申请量和质均居领先地位。 多晶硅技术为量产热点技术，氧化物技术为前沿技术。 * 四种TFT主要申请人分布 序号 a-Si P-Si OTFT 氧化物 申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别 申请人 国别 1 三星 韩国 三星 韩国 三星 韩国 半导体能源 日本 2 夏普 日本 精工爱普生 日本 柯尼卡 日本 三星 韩国 3 LG 韩国 夏普 日本 理光 日本 精工爱普生 日本 4 精工爱普生 日本 索尼 日本 精工爱普生 日本 夏普 日本 5 索尼 日本 日立显示器 日本 住友化学 日本 LG 韩国 关键技术 主要TFT技术申请量日韩企业占领先地位 * 热点技术--多晶硅TFT技术主要涉及方向 多晶硅的形成方法 与有源层配套的部件结构 多晶硅有源层性能的改进 关键技术 中国专利申请集中于多晶硅有源层的形成工艺和方法。 国外专利申请广泛，涉及多晶硅形成方法、性能的改善以及适用结构。 如CN102082098A； KR100721957B1； US7524728B2等 如JP3894441B2;