计算机组装、维护与维修教程第4章 内存.pptVIP

* 第4章 内存 Protection computer assembly 4.1 内存条的分类、结构和封装 * 4.1.1 内存条的分类 1．按内存条的技术标准（接口类型）分类 根据内存条的不同技术标准或称内存接口类型，可分为DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM等。目前主板上使用的主流内存类型是DDR3 SDRAM。 2．按内存条的使用机型分类 按内存条的使用机型可分为台式机内存条和笔记本电脑内存条。 （1）台式机内存条 * （2）笔记本电脑内存条 为了满足笔记本电脑对小尺寸的要求，采用一种改良型的DIMM模块，称为SO-DIMM，应用于笔记本电脑、打印机、传真机等设备。 * 4.1.2 内存条的结构 下面以如图4-3所示的DDR3 SDRAM为例，介绍内存条的结构。 * 1．印制电路板（PCB） 2．金手指（针脚） 3．内存条固定卡缺口 4．金手指缺口 5．内存芯片 6．SPD芯片 7．内存颗粒空位 8．电容 9．电阻 10．标签 * 11．散热器 4.1.3 内存芯片的封装 * 1．TSOP封装 * 2．BGA封装 * 3．CSP封装 4.2 内存条的技术发展和标准 * 4.2.1 内存条的技术发展 * 4.2.2 内存条的技术标准 * 1．DDR SDRAM内存条 DDR SDRAM（简称DDR）内存条是在SDRAM内存条基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系。DDR内存条有184个引脚，常见容量有128?MB、256?MB、512?MB等，其外观如图4-11所示。 * 2．DDR2 SDRAM内存条 DDR2 SDRAM（简称DDR2）内存条有240个引脚，内存条的SPD芯片与DDR内存不同，通常被焊在内存条的中间位置，DDR2内存条的外观如图4-12所示。常见容量有256?MB、512?MB、1?GB、2?GB等。 * 3．DDR3 SDRAM内存条 DDR3 SDRAM（简称DDR3）内存条是当前主流内存产品。DDR3与DDR2一样，也有240个针脚，但DDR3针脚隔断槽口与DDR2不同，DDR3内存左、右两侧安装插口与DDR2不同，DDR3的外观如图4-13所示。DDR3常见容量有1?GB、2?GB、4?GB等。 * 4．DDR4 SDRAM内存条 DDR4内存沿袭了DDR的本质架构，最关键的使命就是提升频率，它的起跳数据传输率为1600?Mbit/s，也就是相当于最低DDR4-1600。DDR4将标准电压降低到了1.2?V，前三代的电压标准分别为2.5?V、1.8?V、1.5?V，如图4-14所示。DDR、DDR2、DDR3分别是2?n、4?n、8?n预取，每一代都翻番，但是DDR4依然停留在了8?n预取上，也就是内部数据率是外部频率的1/8。bank group可选2个或4个，这可以让DDR4内存在每个独立的bank group内单独执行激活、读取、写入或者刷新操作，也能提升整体内存效率和带宽，尤其是在小容量内存颗粒的时候。 * 4.3 内存时间参数 * 4.3.1 内存的参数 1．CAS Latency（CL或tCL） CAS Latency（Column Address Strobe Latency，列地址选通脉冲时间延迟，简称CL或tCL）是指内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令，也就是内存存取数据所需的延迟时间。 2．RAS to CAS Delay（tRCD） RAS to CAS Delay（time of RAS to CAS Delay，行地址传输到列地址的延迟时间，简称tRCD）是指内存RAS（行地址选通脉冲信号）与CAS（列地址选通脉冲信号）之间的延迟。该参数可以控制DRAM RAS信号与CAS信号之间的延迟，参数越小速度越快。可选值有2、3和4。 3．RAS Precharge（tRP） RAS Precharge（time of RAS Precharge，内存行地址选通脉冲预充电时间，简称tRP）是指内存RAS预充电的时间。该参数可以控制在进行DRAM刷新操作之前RAS预充电所需要的时钟周期数，数值越小速度越快。可选值有2、3和4。 4．RAS Active Delay（tRAS） RAS Active Delay（tRAS）也称Cycle Time或Act to Precharge Delay，是指内存行地址选通延迟时间，数值越小速度越快。可选值范围为5～12。 4.3.2 内存的参数标识 *