低频电子线路第二章.pptVIP

* 需两个动画 * 需两个动画 放大区(VBE ? 0.7 V， VCE 0.3 V) IC /mA VCE /V O IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点 条件 发射结正偏 集电结反偏 VCE??曲线略上翘 具有正向受控作用 满足 IC = ? IB + ICEO 说明 IC /mA VCE /V O VA 上翘程度—取决于厄尔利电压 VA 上翘原因—基区宽度调制效应(VCE?? IC 略?) 第 2 章　晶体三极管 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流 IC 的修正方程 基宽 WB 越小?调制效应对 IC 影响越大?则?VA?越小。 ? 与 IC 的关系： IC O ? 在 IC 一定范围内 ? ? 近似为常数。 IC 过小?使 IB?? 造成 ? ?。 IC 过大?发射效率? ?造成 ? ?。 考虑上述因素，IB 等量增加时， IC VCE O 输出曲线不再等间隔平行上移。 第 2 章　晶体三极管 截止区(VBE ? 0.5 V， VCE ? 0.3 V) IC /mA VCE /V O IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结反偏，集电结反偏。 IC ? 0，IB ? 0 近似为 IB ≤ 0 以下区域 严格说，截止区应是 IE = 0 即 IB = -ICBO 以下的区域。 因为 IB 在 0 ? -ICBO 时，仍满足 第 2 章　晶体三极管 击穿区 特点： VCE 增大到一定值时，集电结反向击穿，IC 急剧增大。 V(BR)CEO 集电结反向击穿电压，随 IB 的增大而减小。 注意： IB = 0 时，击穿电压为 V(BR)CEO IE = 0 时，击穿电压为 V(BR)CBO V(BR)CBO V(BR)CEO IC /mA VCE /V O IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 IB = -ICBO (IE = 0) V(BR)CBO 第 2 章　晶体三极管 三极管安全工作区 IC VCE O V(BR)CEO ICM PCM 最大允许集电极电流 ICM (若 IC ICM ? 造成 ? ? ?) 反向击穿电压 V(BR)CEO (若 VCE V(BR)CEO ? 管子击穿) VCE V(BR)CEO 最大允许集电极耗散功率 PCM (PC = IC VCE，若 PC PCM ? 烧管) PC PCM 要求 IC ? ICM 第 2 章　晶体三极管 　　放大电路小信号作用时，在静态工作点附近的小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近似用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路模型，即小信号(或微变)电路模型。 2.5　晶体三极管小信号电路模型 　　三极管作为四端网络，选择不同的自变量，可以形成多种电路模型。最常用的是混合 ? 型小信号电路模型。 第 2 章　晶体三极管 混合Π型电路模型的引出 基区体电阻 发射结电阻与电容 集电结电阻与电容 反映三极管正向受控作用的电流源 由基区宽度调制效应引起的输出电阻 ib ic b c e rbb? rb?e cb?e cb?c rb?c b? gmvb?e rce 第 2 章　晶体三极管 混合 ? 型小信号电路模型 若忽略 rb?c 影响，整理后即可得出混合 ? 型电路模型。 rb?e rce cb?c cb?e rbb? b c e gmvb?e b? ib ic 　　电路低频工作时，可忽略结电容影响，因此低频混合 ? 型电路模型简化为： rb?e rce rbb? b c e gmvb?e b? ib ic 第 2 章　晶体三极管 小信号电路参数 rbb? 基区体电阻，其值较小，约几十欧，常忽略不计。 rb?e 三极管输入电阻，约千欧数量级。 跨导 gm 表示三极管具有正向受控作用的增量电导。 rce 三极管输出电阻，数值较大。RL rce 时，常忽略。 第 2 章　晶体三极管 简化的低频混 ? 电路模型 由于 因此，等效电路中的 gmvb?e ，也可用 ?ib 表示。 c b e T iC iB rb?e b c e gmvb?e ib ic =?ib 注意：小信号电路模型只能用来分析叠加在 Q 点上各 　　　交流量之间的相互关系，不能分析直流参量。 第 2 章　晶体三极管 　　由于交流信号均叠加在静态工作点上，且交流信号幅度很小，因此对工作在放大模式下的电路进行分析时，应先进行直流分析，后进行交流分析。 2.6　晶体三极管电路分析方法 直流分析法 分析指标：IBQ、ICQ、VCEQ 分析方法：图解法、估算法 交流分析法 分析指标：Av 、Ri 、Ro 分析方法：图解法、微变等效电路法