电子技术基础模拟部分(第六版)ch04.ppt

《电子技术基础》;电子技术基础模拟部分;4 场效应三极管及放大电路;场效应管的分类：;4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;4.1.1 N沟道增强型MOSFET;2. 工作原理; 当VDS增加到使VGD=VTN 时，在紧靠漏极处出现预夹断。;预夹断后，VDS?;（3）VDS和VGS同时作用时;以上分析可知;3. I-V 特性曲线及大信号特性方程;② 可变电阻区 vDS （vGS－VTN）;② 可变电阻区 ;③ 饱和区 （恒流区又称放大区）;（2）转移特性;4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;4.1.3 P沟道MOSFET;4.1.3 P沟道MOSFET;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.4 沟道长度调制等几种效应;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.1.5 MOSFET的主要参数;4.2 MOSFET基本共源极放大电路;4.