放大电路的频率响应的特点.pptVIP

三、完整的单管共射放大电路的频率特性 4.2 多级放大器的频率响应 如果放大器由多级级联而成，那么，总增益 4.2.1 多级放大器的上限频率fH 设单级放大器的增益表达式为 4.2.2 多级放大器的下限频率fL 设单级放大器的低频增益为 模 拟 电 子 技 术 * * 4.1　放大电路的频率性 第 四 章 放大电路的频率响应 4.2多级放大器的频率响应 4.1　放大电路的频率性 引言 4.1.2 晶体管以及其单级放大电路的频率特性 4.1.3 集成运算放大器高频参数及其影响 4.1.1 简单RC低通和高通电路的频率特性 ? f O Aum 1.幅频特性和相频特性 Au( f ) — 幅频特性 ?( f ) — 相频特性 0.707Aum f O Au f L — 下限截止频率 f H — 上限截止频率 2. 频带宽度(带宽)BW(Band Width) BW = f H - f L ? f H 引 言 fL fH 一、RC 低通电路的频率特性 4.1.1 简单 RC 低通和高通电路的频率特性 1. 频率特性的描述 R C ? ? ? ? ? 令 1/RC = ?H 则 fH = 1/2?RC ? 滞后 ? ? ? ? f O |Au | 1 0.707 O –45? ? –90? fH f 幅频特性 相频特性 2. 频率特性的波特图 f / fH 0 ? 20lg|Au |/dB –20 0 –45? ? –90? fH –40 0.1 1 10 100 0.1 1 10 f / fH 频率特性 波特图 ? –90? f 0 |Au | 1 0.707 0 –45? ? fH f – 3 dB – 20 dB/十倍频 – 45?/十倍频 ? 二、RC 高通电路的频率特性 ? ? ? 令 1/RC = ?L 则 fL = 1/2?RC 超前 f ? 10 fL 20lg|Au| = 0 dB f = fL 20lg|Au| = 20lg0.7071 = -3 dB f ? 0.1 fL 20lg|Au| = -20lg f / fH R C ? ? 例 4.1.1 求已知一阶低通电路的上限截止频率。 0.01 ?F 1 k? 1 k? 1//1 k? 0.01 ?F 例 5.1.2 已知一阶高通电路的 fL = 300 Hz，求电容 C。 500 ? C 2 k? 戴维宁定理等效 4.1.2 晶体管及其单级放大电路的频率特性 一、单级阻容耦合放大器的中频和低频特性 +VCC RC C1 C2 V RL + + RB1 RB2 RS US ? 1. 中频特性 C1、C2 可视为短路 极间电容可视为开路 2. 低频特性： 极间电容视为开路 耦合电容 C1、C2 与电路中电阻串联容抗不能忽略 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 结论: 频率降低, Aus 随之减小, 输出比输入电压 相位超前。 R?B rbe ? ? 因 ? 值随频 率升高而降 低，高频下 不能采用 H 参数等效电 路。 二、单级放大器的高频性 1. 晶体三极管的混合 ? 型等效电路 B? E B C rbb? rb?e rb?c Cb?c Cb?e Cb?e ：不恒定， 与工作状态有关 Cb?c ：几 pF，限制着放大器频带的展宽 2. ? 与频率 f 的关系 ? = 0.707?0 f? — 共发射极截止频率 fT — 特征频率 ? = 1 可求得： 同样可求得： 可见： f? ? f ?o 0.707?o 1 fT O 3. 晶体管单级放大电路高频特性 E B B? C rbb? rb?e Cb?e Cb?c R?L RS ? US ? ? ? rbb? E B B? C rb?e Cb?e R?L CM RS US ? ? ? ? 密勒等效 (C1，C2 视为短路) 在输出回路略去 Cb?c R?L = RC // RL ?H = 1/RtCt fH = 1/2? RtCt CM= (1 + gmR?L ) Cb?c ? ? ? ? ? ? ? Rt = (RS + r bb? )//rb?e Ct = Cb?e + CM = Cb ?e+(1 + gmR?L ) Cb?c 增益带宽积 G ?BW = Aus0 ? fH (常数) 结论：频率升高， Au 减小 输出相位滞后 增益带宽积为常数 将前面画出的单管共射放大电路频率特性的中频段 、 低频段和高频段画在同一张图上就得到了如图所示 的完整的频率特性（波特）图。 共射电路完整波特图 实际上，同时也可得出单管共 射电路完整的电压放大倍数表 达式，