第11章 MOS场效应管01.pptVIP

第11章 MOS场效应管基础 11.1 MOS电容--MOS二极管 MOS电容--MOS二极管 理想MOS二极管-能带图 能带图-积累 能带图-耗尽 能带图-反型 非平衡能带图--n型* 2. 耗尽层宽度 耗尽层宽度—电势/反型 耗尽层宽度—强反型 最大耗尽层宽度 例* 3. 功函数差* 功函数差 功函数差 4.平带电压 陷阱电荷* 陷阱电荷* 陷阱电荷* 平带电压 平带电压* 5. 阈值电压 阈值电压 阈值电压* 4. 电荷分布* 11.2 MOS电容-电压特性 MOS的C-V特性 1. 理想C-V特性 ② 耗尽状态 耗尽状态 ③反型状态 MOS电容的C-V特性 2. 频率特性 频率特性 3.氧化层电荷与界面电荷效应* 界面电荷效应* 界面电荷效应* 11.3 MOSFET基本工作原理 2. 基本工作原理 基本工作原理 基本工作原理 基本工作原理 电流?电压特性* 3. 小信号跨导 小信号导纳* 4. 衬底偏置效应 衬底偏置效应 11.4 频率特性 1. 小信号等效电路 简化低频小信号等效电路 2. 频率限制因素与截止频率 频率限制因素与截止频率 频率限制因素与截止频率 11.5 MOSFET按比例缩小 按比例缩小规范 2. 恒定电压等比例缩小(CV律) 按比例缩小规范(scaling rule) 在阈值反型点, 耗尽层达到最大, 此时电容最小 dT S OX OX