模拟电子电路及技术基础第四章.ppt

4.1 基本要求及重点、 难点4.2 习题类型分析及例题精解4.3 习题解答 　　1. 基本要求　　(1) 理解本征半导体、 P型和N型半导体以及漂移电流和扩散电流等基本概念。 　　(2) 掌握PN结的工作原理、 单向导电性、 击穿特性和电容特性等基本知识。 　　(3) 掌握晶体二极管的伏安特性、 常用参数、 温度特性， 能够应用简化模型对二极管基本应用电路(包括整流、 限幅、 电平选择和峰值检波电路)进行分析和计算。 　　(4) 掌握稳压二极管特性及其应用电路的分析、 计算， 掌握包含二极管、 稳压管和运放的电路(包括精密整流电路、 输出限幅比较器、 输出限幅且占空比可调的弛张振荡器等电路)的分析和计算。 　　(5) 掌握双极型晶体三极管的工作原理、 共射输出特性和输入特性曲线及主要参数， 熟练掌握直流偏置下晶体管的工作状态分析、 计算以及各种晶体管应用电路(包括对数、 反对数、 β值测量、 恒流源电路)的分析和计算。 　　(6) 掌握JFET和MOSFET的工作原理、 输出特性和转移特性曲线及主要参数， 熟练掌握直流偏置下FET的工作状态分析、 计算以及各种FET应用电路(包括方波、 锯齿波发生器， 取样/保持电路， 相敏检波电路)的分析和计算。　　(7) 了解双极型晶体管和场效应管的性能及参数比较。 　　2. 重点、 难点　　重点： PN结工作原理， 晶体二极管应用电路及晶体三极管和场效应管的工作原理、 特性曲线、 主要参数及其应用电路的分析和计算。　　难点： 本章概念较多， 晶体三极管尤其是场效应管的工作原理、 特性曲线及其应用电路的分析和计算较难掌握， 教学中应密切联系应用背景， 引起学生的学习兴趣。 　　1.　半导体物理基础和PN结　　作为原理基础篇的开始， 本章涉及到许多新的概念， 原理描述较多， 引入了不少专有名词。 应用时应该注意概念准确， 原理描述简洁， 专有名词拼写正确。 同时， 本章相对和相似的内容较多， 如N型半导体和P型半导体， NPN型晶体管和PNP型晶体管， 三种N沟道场效应管和三种P沟道场效应管， 等等， 学习时应该注意区分， 避免混淆。 　　【例4-1】 半导体中载流子通过什么物理过程产生？ 半导体电流与哪些因素有关？　　答 本征半导体中的载流子通过本征激发产生。 杂质半导体中， 多子的绝大部分由掺杂产生， 极少部分由本征激发产生； 少子则单纯由本征激发产生。　　半导体电流分为漂移电流和扩散电流。 漂移电流与电场强度、 载流子的浓度和迁移率有关， 扩散电流与载流子沿电流方向单位距离的浓度差即浓度梯度有关。 　　2. 二极管和稳压二极管　　1) 二极管的直流电阻和交流电阻　　二极管的直流电阻利用其两端的直流电压和其中的直流电流直接计算， 也可以利用伏安特性曲线通过图解法得到。 图解法求交流电阻误差很大， 一般利用热电压和直流电流计算， 不加说明时， 热电压取26 mV。 　　【例4-2】 二极管的伏安特性如图4-1所示， 计算直流静态工作点Q处的直流电阻RD和交流电阻rD。 　　解 Q处直流电压UDQ=0.7 V, 直流电流IDQ=2.5 mA， 则直流电阻交流电阻 　　2) 二极管的管压降和电流　　二极管中的电流即其所在支路的电流， 如果电流已知， 则可以利用外电路的电压分布间接计算管压降， 反之， 可以利用已知的管压降从外电路计算二极管中的电流。 如果可以精确测量二极管两端的电压， 其变化不大时， 可以利用二极管的交流电阻线性外推二极管中的电流。 　　【例4-3】 二极管电流测量电路如图4-2所示。 当电源电压E=10 V时， 电流表读数ID1=9.7 mA， 则当E=20 V时， 估计电流表读数ID2。 　　解 二极管VD的管压降　　　UD(on)=E－ID1R=10 V－9.7 mA×1 kΩ=0.3 V 　当E=20 V时， 电流表读数 　　【例4-4】 二极管电压测量电路如图4-3所示。 当电源电压E=13.6 V时， 电压表读数UD1=0.6 V； E增大后， 电压表读数UD2=0.63 V, 估计此时二极管VD中的电流ID2。 　　解 当E=13.6 V时， VD中的电流VD的交流电阻 E增大后， VD两端的电压变化不大， 即　　　ΔU=UD2－UD1=0.63 V-0.6 V=0.03 VUD1此时VD中的电流 　　3) 二极管限幅电路　　二极管限幅电路通过内部电路预设一个电压， 二极管两端的电压为输入电压与预设电压的叠加。 可以首先计算预设电压， 结合二极管的导通电压， 确定二极管处于导通和截止之间的临界状态时输入电压的临界值， 之后再区分输