半导体光电特性的表面光电压谱表征.pdfVIP

第 21卷 第 2期 河 北 建 筑 科 技 学 院 学 报 V01．21 No．2 2004年 6月 Journal of Hebei Institute of Architectural Science and Technology Jun．2O04 文章编号 ：1007—6743(2004)02一OO9O一04 半导体光 电特性 的表面光 电压谱表征 王华英 ，朱海丰 ，何杰 ，李丽宏 (1．河北工程学 院 数理系，河北 邯郸 056038；2．河北大学，河北 保定 071002) 摘要：根据半导体能带结构，利用静 电平衡条件及 电荷 守衡定律，详细讨论了半导体表面光 电压 的产生原理、测量方法，给 出了单晶硅的表面光 电压谱 ，并 由此得 出了单晶硅的带隙能量 。 关键词：半导体；表面光 电压；表面光 电压谱 ；单晶硅 中图分类号 ：0484．1 文献标识码 ：A 表面光 电压是固体表面的光生伏特效应 ，是光致 电子跃迁的结果。早在 1876年，W．G．Ada吣 就发现 了这一现象uI