微电子工艺复习题目(精选).docVIP

第一单元 3比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点？ 答： CZ法工艺成熟可拉制大直径硅锭，但受坩锅熔融带来的O等杂质浓度高，存在一定杂质分布，因此，相对于MCZ和FZ法，生长的硅锭质量不高。当前仍是生产大直径硅锭的主要方法。 MCZ法是在CZ技术基础上发展起来的，生长的单晶硅质量更好，能得到均匀、低氧的大直径硅锭。但MCZ设备较CZ设备复杂得多，造价也高得多，强磁场的存在使得生产成本也大幅提高。MCZ法在生产高品质大直径硅锭上已成为主要方法。 FZ法与CZ、MCZ法相比，去掉了坩埚，因此没有坩埚带来的污染，能拉制出更高纯度、无氧的高阻硅，是制备高纯度，高品质硅锭，及硅锭提存的方法。但因存在熔融区因此拉制硅锭的直径受限。FZ法硅锭的直径比CZ、MCZ法小得多。 6硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？ 答： 从硅气相外延工艺原理可知，硅外延生长的表面外延过程是外延剂在衬底表面被吸附后分解出Si原子，他迁移到达结点位置停留，之后被后续的Si原子覆盖，该Si原子成为外延层中原子。因此衬底表面“结点位置”的存在是外延过程顺利进行的关键，如果外延衬底不是准确的（100）或（111）晶面，而是偏离一个小角度，这在其表面就会有大量结点位置，所以，硅气相外延工艺采用的衬底通常偏离准确的晶向一个小角度。 8异质外延对衬底