光刻胶涂布与曝光.pptxVIP

光刻胶涂布与曝光;正光阻;曝光机理;GF2结构使用干膜光刻胶，采用双面热压roller形式上胶。 膜厚在线不可调控，膜厚由DFR决定，EH 1st DFR 厚度15um，2nd DFR 厚度 30um，不易产生针孔，分辨率低，工艺制程简单。 GG使用湿膜光刻胶，采用单面压辊或刮刀涂布方式上胶。 膜厚在线可通过走速/抽泵强度调控，厚度1.4um~2.3um,易产生针孔，分辨率高，工艺制程复杂，涂布后需软烘烤后才能曝光。;GF2结构 主要控制参数：压辊温度，压辊压力 主要品质问题：气泡，异物，附着不良 GG结构 主要控制参数：涂布速度，抽泵频率，压辊压力 主要品质问题：膜厚不均，针孔，异物;GF2结构 1st exposure:双面接近式曝光，分辨率低，不易造成产品缺陷及mask划伤，6个对位镜头，双面同时对位 2nd exposure:双面接触式曝光，分辨率低，易造成产品缺陷及mask划伤，4个对位镜头，双面同时对位 GG结构 单面接近式曝光，分辨率低，不易造成产品缺陷及mask划伤， 2个对位镜头，单面对位;;铬版mask（石英基板） 对320-450nm波长有很好的透过率，变形尺寸小，精度高5um,成本高 干版mask （钠钙玻璃基板） 对320-450nm波长有较好的透过率，变形尺寸小，精度较高20um 菲林