三维高密度集成电路中锥形硅通孔电特性.docVIP

PAGE 6 差分屏蔽型TSV电学特性研究 STYLEREF 标题 1 致谢 PAGE 6 在低频段，(C + 2Cm )及(G + 2Gm )随p的改变规律完全相反，如下表3.1所示，所以它们对Zdiff实部作用部分可以抵消掉。同时，在高频工作区间，随p增大，(L?Lm) 增大且(C + 2Cm )及(G + 2Gm )不断减小。因此，随着p的不断提升，在低频工作区间里，Zdiff实部基本上不发生改变，而且在高频阶段，Zdiff实部快速提升，如下图3.8（c）中所示。另一方面，随p增大，R和Cox1仍保持不变且(2CSi1 + CSi2) 减小，进而从式（61）及式（62）也可得出此相同结论。 在整个频段之内，(C + 2Cm )及(G + 2Gm )随r4变化趋势和它们随p变化趋势相同，如表3.1中所示。此外由于R主要由r1决定，而非由r4决定，所以R只随r4增大缓慢减小。因此，和Sd2d1幅度情况类似，Zdiff的实部随r4变化和它随p变化类似，如图3.8（c）及（d）所示。 最后，分析了σSi 对Zdiff的实部影响，如图3.8（e）中所示。在低频段内，由于此时(C + 2Cm )及(G + 2Gm )对Zdiff实部作用部分可以抵消掉，因此Zdiff的实部作用随着σSi会慢慢降低。在中频阶段，随着σSi的不断提升，工作区间(C + 2Cm )及(G