光电检测技术第三章(6).pptVIP

ⅱ. 恒流偏置 若负载电阻RL比光敏电阻RP大得多，即RLRP，则负载电流IL为 IL=Ub/RL 这表明负载电流与光敏电阻值无关，并且近似保持常数，这种电路称为恒流偏置电路。随输入光通量ΔΦ的变化，负载电流的变化ΔIL变为（3-41） ?IL=SgUb(RP/RL)2?Φ 上式表明输出信号电流取决于光敏电阻和负载电阻的比值，与偏置电压成正比。还可以证明恒流偏置的电压信噪比较高，因此适用于高灵敏度测量。但由于RL很大，使光敏电阻正常工作的偏置电压则需很高（100V以上），这给使用带来不便。为了降低电源电压，通常采用晶体管作为恒流器件来代替RL。 ⅲ. 恒压偏置 当光敏电阻在较高的频率下工作时，等效电路一定不能省去Cp；另外，除选用高频响应较好的光敏电阻外，负载电阻RL必须取较小的数值，否则时间常数较大，对高频的影响不利。所以在较高频率下工作时，电路往往处于失配状态。当负载电阻RL比光敏电阻RP小得多，即RLRP时，负载电阻两端的电压为 UL ≈ 0 此时，光敏电阻上的电压近似与电源电压相等。这种光敏电阻上的电压保持不变的偏置称为恒压偏置，信号电压由式（3-42）变为 ?UL=SgUbRL?Φ 式中，SgΔΦ＝ΔG是光敏电阻的电导变化量，是引起信号输出的原因。 ②电源电压Ub的选择 在匹配条件（RL=RP）下有： 因此，当负载电阻RL确定后，电源电压Ub由上式确定，不能超过此值。另外，使用时，也不应超过光敏电阻参数中给出的极限工作电压值。 此外，为了得到大的电流变化，当RL＝0时，有 （二）电桥式偏置电路 为了避免光敏电阻受环境温度的影响而引起灵敏度变化，经常采用电桥电路作为输入电路。选择性能相同的光敏电阻RT1和RT2作电桥测量臂的电阻，普通电阻R1和R2作为补偿臂电阻，外加电源电压Ub。在无光照时，调节补偿电阻R2，使电桥平衡，此时RT1R2= RT2R1，电桥输出信号为U0＝0。当有光照射到光敏电阻RT1上时，光通量变化ΔΦ引起电阻的改变为 RT1=R01+?R 式中，R01为光敏电阻RT1的暗电阻。 此时电桥平衡破坏，开路电压U0为 在弱光作用下有ΔRR01＋R1，取R1＝R2＝R，R01＝R02＝R0，则有： 输出电压U0与光敏电阻的变化量ΔR成比例，并与补偿臂负载电阻R有关，令dU0/dR＝0，可计算出当R＝R0时，U0取最大值，为 （1）用于测光的光源光谱特性必须与光敏电阻的光敏特性匹配。 （2）要防止光敏电阻的电参数受杂散光的影响。 （3）要防止使光敏电阻的电参数（电压、功耗）超过允许值。 （4）根据不同用途选用不同特性的光敏电阻。一般来说，用于数字信息传输时，选用亮电阻与暗电阻差别大的光敏电阻为宜，且尽量选用光照指数大的光敏电阻；用于模拟信息传输时，则选用光照指数小的为好，因为这种光敏电阻的线性特性好。 六、光敏电阻使用注意事项： （3）本征型的长波限条件由禁带宽度Eg决定，即 当光子的能量等于或大于Eg时，才能释放出电子—空穴对，释放的多少，与材料的反射系数，吸收系数和厚度有关。 （4）杂质型 杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。 此时长波限由杂质的电离能Ei决定，因为Ei Eg，所以杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长得多。 （5）光电导的弛豫现象 光辐射入射到本征或非本征半导体材料上，开始时随时间的增加光生载流子逐渐增加，经过一定时间后，载流子浓度才逐渐趋于一稳定值。此后，若突然遮断入射的光辐射，光生载流子并不立即下降到照射前的水平，而是经过一定时间才趋于照射前的水平，这种现象称为光电导的弛豫现象。 光电导的弛豫时间或时间常数 光辐射入射到本征或非本征半导体材料上，建立稳定的光生载流子浓度所需要的时间，或停止照射后光生载流子浓度下降到照射前的水平所需要的时间 （a）上升 （b）下降 图3-4 本征光电导上升和下降的弛豫过程 光敏电阻的工作原理是基于光电导效应，其结构是在玻璃底版上涂一层对光敏感的半导体物质，两端有梳状金属电极，然后在半导体上覆盖一层漆膜。 光敏电阻结构及符号 二、光敏电阻的工作原理 本征型光敏电阻的长波限为：?=hc/Eg=1240/Eg 掺杂型光敏电阻： ?= hc/?E=1240/ ?E